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本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

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