【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中一种清洗剂，具体地涉及一种光刻胶清洗剂。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，首先在二氧化硅、Cu (铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的涂层，利用适当的掩模进行曝光、显影，根据所用光刻胶的特性，除去曝光或者未曝光部分的光刻胶，在所要求的部位形成光刻胶图案，然后在该光刻胶图案上进行等离子刻蚀或反应性气体刻蚀，进行图形转移。低温快速的清洗工艺是半导体晶片制造工艺发展的重要方向。20拜以上厚度的负性光刻胶正逐渐应用于半导体晶片制造工艺中，而目前工业上大部分的光刻胶清洗剂对正性光刻胶的清洗能力较好，但不能彻底去除晶片上经曝光和刻蚀后的具有交联网状结构的负性光刻胶。在半导体晶片进行光刻胶的化学清洗过程中，清洗剂常会造成晶片图案和基材的腐蚀。特别是在利用化学清洗剂除去光刻胶和刻蚀残余物的过程中，金属(尤其是铝和铜等较活泼金属)腐蚀是较为普遍而且非常严重的问题，往往导致晶片良率的显著降低。目前，光刻胶清洗剂组合物主要由强碱、极性有机溶剂和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗剂中或者利用清洗剂冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。强碱...
【技术保护点】
一种光刻胶清洗剂，含有：季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和聚丙烯酸类缓蚀剂；其中所述的烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为３～１８。
【技术特征摘要】
1、一种光刻胶清洗剂，含有季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和聚丙烯酸类缓蚀剂；其中所述的烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为3～18。2、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的季铵氢 氧化物为选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铰、四丁基 氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。3、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的季铵氢 氧化物的含量为0.1~10wt%。4、 根据权利要求3所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的季铵氢 氧化物的含量为0.5~5wt%。5、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的水的含 量为0.2~5wt%。6、 根据权利要求5所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的水的为 0.5 3wt%。7、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的烷基二 醇芳基醚为选自丙二醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、 二丙二醇单苯基醚、二异丙二醇单苯基醚、三乙二醇单苯基醚、三丙二醇单苯基醚、三异丙二醇单苯基醚、六縮乙二醇单苯基醚、六縮丙二醇单苯基醚、 六縮异丙二醇单苯基醚、丙二醇单苄基醚、异丙二醇单苄基醚或己二醇单萘 基醚中的一种或多种。8、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的烷基二 醇芳基醚的含量为0.5~30wt%，9、 根据权利要求8所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的垸基二 醇芳基醚的含量为2.0~15.0wt%。10、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的二甲基亚砜的含量为l~98wt%。11、 根据权利要求IO所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的二甲基亚砜的含量为30~90wt°/o。12、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的聚丙'烯酸类缓蚀剂为选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺盐，甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐中的一种或多种。13、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类化合物的数均分子量为500-20000。14、 根据权利要求13所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类化合物的数均分子量为1000-10000。15、 根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类化合物的含量为0.01~5.0wt%。16、 根据权利要求15所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类化合物的含量为0.05~2.5wt%。17、 根据权利要求l所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的光刻胶清洗剂还含有选自极性有机共溶剂、表面活性剂和除聚丙烯酸类缓蚀剂以外的其它缓蚀剂中的一种或多种。18、 根据权利要求17所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述的极性有机共溶剂为选自亚砜、砜、咪唑垸酮、醇胺和垸基二醇单垸基醚中的一种或多种。19、...
【专利技术属性】
技术研发人员：史永涛，彭洪修，曹惠英，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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