一种化学机械抛光制程、双氧水的用途和清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光制程，包括采用含有选自高锰酸及其可溶性盐和锰酸及其可溶性盐中的一种或几种的抛光浆料进行化学机械抛光及其后续的清洗步骤，该清洗步骤中所用的清洗液为双氧水水溶液。本发明专利技术还公开了一种双氧水的用途以及一种在化学机械抛光中与抛光浆料接触的抛光部件及被抛光材料的清洗方法。本发明专利技术有效解决了高锰酸，锰酸及其可溶性盐特殊的颜色和可能存在的残留的局限性问题，拓展了其在半导体行业中的应用范围，同时控制金属材料的局部和整体腐蚀，减少衬底表面污染物，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体中平坦化
，特别涉及一种化学机械抛光制程 和一种双氧水的用途以及一种在化学机械抛光中与抛光浆料接触的抛光部 件及被抛光材料的清洗方法。
技术介绍
集成电路(IC)制造工艺中平坦化技术已成为与光刻和刻蚀同等重要且 相互依赖的不可缺少的关键技术之一。而化学机械抛光(CMP)工艺便是目 前最有效、最成熟的平坦化技术。化学机械抛光系统是集清洗、干燥、在线 检测、终点检测等技术与一体的化学机械平坦化技术，是集成电路向微细化、 多层化、平坦化、薄型化发展的产物，是集成电路提高生产效率、降低成本、 晶圆全局平坦化必备技术。CMP在IC制造领域应用广泛，抛光对象包括衬 底、介质及互连材料等。其中金属CMP是90纳米以下芯片制造中器件和互 连制造的关键工艺之一，是亚90纳米时代的研究热点。金属铜、铝、钨正 在越来越多地应用于集成电路器件上的互连，必须通过化学机械抛光实现多 层互连，因而开发出新一代的金属化学机械抛光液一直让业界关注。高锰酸， 锰酸，锰酸及其可溶盐做为一种常见的强氧化剂有着高效，价廉等优势。 US3429080公开了一种包括高锰酸，锰酸钾在内的含氧化剂的组合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光制程，包括采用含有选自高锰酸及其可溶性盐和锰酸及其可溶性盐中的一种或几种的抛光浆料进行化学机械抛光及其后的清洗步骤，其特征在于，该清洗步骤中所用的清洗液为双氧水水溶液。

【技术特征摘要】
1、一种化学机械抛光制程，包括采用含有选自高锰酸及其可溶性盐和锰酸及其可溶性盐中的一种或几种的抛光浆料进行化学机械抛光及其后的清洗步骤，其特征在于，该清洗步骤中所用的清洗液为双氧水水溶液。2、 根据权利要求1所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的双 氧水水溶液的浓度为0.01wt%~30wt%。3、 根据权利要求2所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的双 氧水水溶液的浓度为0.02wt%~15wt%。4、 根据权利要求1所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的双 氧水水溶液的pH值《6.0。5、 根据权利要求4所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的双 氧水水溶液的pH值《4.0。6、 根据权利要求1所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的高 锰酸可溶性盐选自高锰酸钠，高锰酸钾和高锰酸铵。7、 根据权利要求1所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的锰 酸可溶性盐选自锰酸钠，锰酸钾和锰酸铵。8、 根据权利要求1所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的高 锰酸及其可溶性盐和锰酸及其可溶性盐中的一种或几种在抛光浆料中的浓 度为0.001~5wt%。9、 根据权利要求8所述的化学机械抛光制程，其特征在于，所述的高 锰酸及其可溶性盐和锰酸及其可溶性盐中的一种或几种在抛光浆料中的浓 度为0.002~lwt%。10、 根据权利要求1所述的化学机械抛光制程，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春，杨春晓，王晨，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]