一种去除光阻层残留物的清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种去除光阻层残留物的清洗液，其特征是含有Ｎ，Ｎ－二乙基乙醇胺、其他醇胺溶剂、水、螯合剂。该清洗液对非金属和金属的腐蚀速率较低，能够去除晶圆上的光阻残留物。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺中的一种清洗液，尤其涉及一种去除光阻层 残留物的清洗液。
技术介绍
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图 案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、 离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底 除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不 易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的 大部分;第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余的光阻 层，其步骤一般为清洗液清洗/漂洗/去离子水漂洗。在这个过程中只能除去 残留的聚合物光阻层和无机物，而不能攻击损害金属层如铝层。在半导体清洗业界， 一般要求清洗液能有效去除光阻残留物，而对接触 到的金属和非金属的腐蚀速率要求小于2A/min。在目前的湿法清洗工艺中， 用得最多的清洗液是含有羟胺类和含氟类的清洗液，羟胺类清洗液的典型专 利有US6319885、 US5672577、 US6030932、 US6825156和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除光阻层残留物的清洗液，其包含：Ｎ，Ｎ－二乙基乙醇胺、其他醇胺、水和螯合剂。

【技术特征摘要】
1、一种去除光阻层残留物的清洗液，其包含N，N-二乙基乙醇胺、其他醇胺、水和螯合剂。2、 如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述N， N-二乙基乙醇胺 的含量为5~60wt%。3、 如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述其他醇胺为选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙 醇胺和二甘醇胺的一种或多种。4、 如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述的其他醇胺的含量为10 60wt%。5、 如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述水的含量为l 45wt%。6、 如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述螯合剂为含有多个官 能团的有机化合物。7、 如权利要求6所述清洗液，其特征在于，所述螯合剂为选自乙醇酸、 丙二酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、邻苯二酚、邻 苯三酚、没食子酸、水杨酸和磺基水杨酸的一种或...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，彭杏，于昊，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]