【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中的一种清洗剂，特别涉及一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、Cu (铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩模，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。100^im以上的厚膜光刻胶越来越多地应用于半导体晶片制造工艺中，因而用于厚膜光刻胶的清洗剂日益成为半导体晶片制造工艺的重要研究方向。尤其是100拜以上的厚膜负性光刻胶正逐渐应用于半导体晶片制造工艺中，而目前工业上大部分的光刻胶清洗剂都不能彻底去除晶片上经曝光和刻蚀后的具有交联网状结构的负性光刻胶。另外，在半导体晶片进行光刻胶的化学清洗过程中，清洗剂(尤其是含有氢氧化钾等强碱的清洗剂)常会造成晶片图形和基材的腐蚀。特别是在利用化学清洗剂除去刻蚀残余物的过程中，金属腐蚀是较为普遍而且非常严重的问题，往往导致晶片良率的显著降低。目前，光刻胶清洗剂主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗剂中或者利用清洗剂冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。JP1998239865由四甲基氢氧化铵(TMAH)、 二甲基亚砜(DMSO...
【技术保护点】
一种用于厚膜光刻胶的清洗剂，包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。
【技术特征摘要】
1、一种用于厚膜光刻胶的清洗剂，包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。2、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的二甲基亚砜的含量为质量百分比1~97%。3、 根据权利要求2所述的清洗剂，其特征在于，所述的二甲基亚砜的含量为质量百分比30~90%。4、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的氢氧化钾的含量为质量百分比0.1~5.0%。5、 根据权利要求4所述的清洗剂，其特征在于，所述的氢氧化钾的含量为质量百分比1.0~4.0%。6、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的醇胺为选自一乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羟乙基乙二胺中的一种或多种。7、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的醇胺的含量为质量百分比1~50%。8、 根据权利要求7所述的清洗剂，其特征在于，所述的醇胺的含量为质量百分比5.0~35%。9、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的芳基醇为选自苯甲醇、苯乙醇、二苯甲醇、邻氨基苯甲醇、对氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、三甲基苯甲醇、邻苯二甲醇、间苯二甲醇、对苯二甲醇、甲基苯乙醇、对氨基苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一种或多种。10、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的芳基醇的含量为质量百分比1~50%。11、 根据权利要求10所述的清洗剂，其特征在于，所述的芳基醇的含量为质量百分比5.0 30.0%。12、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类缓蚀剂为选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺盐，甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐中的一种或多种。13、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类缓蚀剂的数均分子量为500-100000。14、 根据权利要求13所述的清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类缓蚀剂的数均分子量为1000-50000。15、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类缓蚀剂的含量为质量百分比0.01 5.0%。16、 根据权利要求15所述的清洗剂，其特征在于，所述的聚丙烯酸类缓蚀剂的含量为质量百分比0.05 2.5wt%。17、 根据权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述的縮水剂为选自N，:NT-二环己基碳二亚胺、N,N'-二异丙基碳二亚胺、N，N'-羰基二咪唑、N-N1-羰基二四氢吡咯、N,W-羰基二(l,2,4-三氮唑)、N,N'-二异丙基乙胺、N,W-二琥珀酰亚胺基碳酸酯、芴甲氧羰酰琥珀酰亚胺、1-羟基苯并三氮唑、1-羟基-7-偶氮苯并三氮唑、苯并三氮唑-N，N，N',N^四甲基脲、4，5-二氰基咪唑、N-羟基-5-降冰片烯-2，3-二酰亚胺、3-羟基-l，2，3-苯并三嗪-4(3H)-酮、N-羟基琥珀酰亚胺和N-羟基硫代琥珀酰亚胺中的一种或多种。...
【专利技术属性】
技术研发人员：史永涛，彭洪修，曹惠英，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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