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本发明公开了一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。该清洗剂包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。本发明的光刻胶清洗剂可以在较大的温度范围内（４５～９０℃）使用，用于除去半导体制造工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的厚膜光...该专利属于安集微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子（上海）有限公司授权不得商用。
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