一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液，其包含磨料颗粒，其还含有下述有机盐中的一种或多种：脂肪胺的盐酸盐、脂肪胺的硫酸盐、酰胺的盐酸盐、酰胺的硫酸盐、氨基酸的盐酸盐和氨基酸的硫酸盐。本发明专利技术的化学机械抛光液通过化学方法在酸性或碱性条件下均能够提高二氧化硅介电材料（ＰＥＴＴＥＯＳ）的去除速率，且能在相对较低的磨料粒子含量下具有较高的氧化硅去除速率和较高的平坦化效率，材料表面无划伤，无腐蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光液，具体的涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
随着集成电路(IC)产业的飞速发展，IC特征尺寸不断縮小，硅片尺寸不 断增大，IC工艺变得越来越复杂和精细，这对芯片内部层间介质的表面质量 提出了更高的要求。尤其是进入亚90nm工艺节点，表面形貌的微小差异就 可能引起器件性能的较大变化，这对介质膜的全局平面化提出了更高的挑 战，例如对表面阶深、细微划伤、材料缺陷和侵蚀、颗粒污染物等都有严格 的限制。然而传统的介质材料抛光液的磨料粒子浓度较高，这就增加了产生 上述问题的潜在可能性。要保持一定的去除速率，降低磨料粒子含量，就要 求用化学方法提高氧化硅的去除速率。然而二氧化硅为四价硅，非常稳定， 不能用氧化还原方法加快去除，所以介质材料的化学机械抛光(CMP)过程 主要是磨料粒子作用于表面水合层将其去除。而通过化学方法提升氧化硅的 去除，报道较少，专利US2004154231A1， US2004023496A1是采用聚乙烯 亚胺、高氯酸、次氯酸等来加快氧化硅的去除，但表面活性剂的使用，通常 会影响其它材料的去除，强氧化剂也存在稳定性的问题等等。专利
技术实现思路
本专利技术所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光液，其包含磨料颗粒和水，其特征在于：其还含有下述有机盐中的一种或多种：脂肪胺的盐酸盐、脂肪胺的硫酸盐、酰胺的盐酸盐、酰胺的硫酸盐、氨基酸的盐酸盐和氨基酸的硫酸盐。

【技术特征摘要】
1、一种化学机械抛光液，其包含磨料颗粒和水，其特征在于其还含有下述有机盐中的一种或多种脂肪胺的盐酸盐、脂肪胺的硫酸盐、酰胺的盐酸盐、酰胺的硫酸盐、氨基酸的盐酸盐和氨基酸的硫酸盐。2、 如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的脂肪胺 为d^8脂肪胺；所述的酰胺为d《H)酰胺；所述的氨基酸为甘氨酸、谷氨 酸、色胺酸或胱氨酸。3、 如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的脂肪胺 为乙胺、乙二胺或三乙胺；所述的酰胺为甘氨酰胺、丙氨酰胺、苏氨酰胺或 水杨酰胺。4、 如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机盐 的含量为质量百分比0.01°/。-1%。5、 如权利要求4所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的有机盐的含量为质量百分比0.1-0.5%。6、 如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]