一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、氧化剂和水，其还含有至少一种无机盐类物质用于提高二氧化硅的移除速率，至少一种含氮唑类化合物用于提升ｌｏｗ－ｋ材料去除速率，并且两种物质有一定的协同作用。本发明专利技术的化学机械抛光液可以在低应力下进行铜阻挡层的化学机械抛光，具有较高的介质材料的去除速率，其还可以具有较低的固含量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光液，具体的涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
在130nm及更先进的制程中，选采用铜金属做为互连线路，可以降低电 阻，从而大幅降低传输延迟(RC延迟)，同时，低介电材料(Low-k材料) 的采用也进一步削弱了寄生电容，例如掺杂碳的氧化硅(CDO)与PETEOS 相比，电容降低大约30%。此外由于low-k材料的机械性能相对较弱，通常 在上面沉积一层硅基封盖膜例如二氧化硅介电材料(PETEOS)、 SiON等， 以确保在化学机械抛光(CMP)过程中介质材料不会产生缺损和腐蚀，以保 持其机械性能和介电常数。这样CMP过程就要求在低的应力下，快速去除 封盖层和部分介质材料。为达到工艺要求的参数，还必须对PETEOS和low-k 材料的抛光选择比有一定的控制能力。因为氧化硅为四价，不能被氧化，不 能采用氧化还原的方法加快去除。 一般认为提高研磨粒子的含量，增大机械 力可以增加去除速率，但也会增加表面污染物指标尤其是微划伤等。采用化 学方法在低应力下提高PETEOS或low-k材料去除速率的专利鲜见报道，曾 有专利(S2002123224A1， US7351662B2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、氧化剂和水，其特征在于：其还含有无机盐类物质和含氮唑类化合物。

【技术特征摘要】
1、一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、氧化剂和水，其特征在于其还含有无机盐类物质和含氮唑类化合物。2、 如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的无机盐 类物质选自强酸强碱盐和/或强酸弱碱盐。3、 如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的强酸强 碱盐为氯化钠、氯化钾、氯化钙、硝酸钠、硝酸钾、硝酸钙、硫酸钾和硫酸 钠中的一种或多种；所述的强酸弱碱盐为氯化铵、硝酸铵和硫酸铵中的一种 或多种。4、 如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的无机盐 类物质的含量为质量百分比0.01-10%。5、 如权利要求4所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的无机盐 类物质的含量为质量百分比0.1-1%。6、 如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的含氮唑 类化合物为下述化合物I、 II和III中的一种或多种<formula>formula see original document page 2</formula>其中，R,和R2独自的为氢、d-C6垸基、羧基或连接d-C6烷氧基的羰 基，R3为氢或Q-C6烷基；R4和Rs独自的为氢、CVC6烷基、羧基、氨基或巯基，R6为氢或C广C6R7和Rs独自的为氢、d-C6烷基或羧基，R9为氢或CrC6烷基。7、如权利要求6所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的化合物I中R2和R3同时为氢；所述的化合物II中，&为氢；所述的化合物III中， Rg和R9同时为氢。8、 如权利要求7所述的化学机械抛光液，其特征在于所述的化合物I 为苯并三氮唑和/或甲基苯并三氮唑；所述的化合物III为吲唑。9、 如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]