一种化学机械抛光浆料制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光浆料，包括有氧化剂，其中，所述的氧化剂包含两组氧化剂，其中一组为选自高锰酸及其可溶性盐中的一种或多种，另一组为选自硝酸及其可溶性盐中的一种或多种。本发明专利技术的化学机械抛光浆料通过氧化剂高锰酸根和硝酸根，与研磨颗粒的相互作用增加金属的绝对去除速率，提高对介电质的相对去除速率选择比，可以降低金属针孔腐蚀，降低金属平坦化过程中产生的介电质侵蚀，使缺陷明显下降，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光浆料，具体涉及一种化学机械抛光浆料。
技术介绍
集成电路(IC)制造工艺中平坦化技术已成为与光刻和刻蚀同等重要且相互依赖的不可缺少的关键技术之一。而化学机械抛光(CMP)工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。化学机械抛光系统是集清洗、干燥、在线检测、终点检测等技术于一体的化学机械平坦化技术，是集成电路IC向微细化、多层化、平坦化、薄型化发展的产物，是集成电路提高生产效率、降低成本、晶圆全局平坦化的必备技术。CMP在IC制造领域应用广泛，抛光对象包括衬底、介质及互连材料等。其中金属CMP是90纳米以下芯片制造中器件和互连制造的关键工艺之一，是亚90纳米时代的研究热点。金属铜，铝，钨正在越来越多地应用于集成电路器件上的互连，必须通过化学机械抛光实现多层互连，因而开发出新一代的金属化学机械抛光液一直让业界关注。US3429080公开了 一种包括高锰酸钾在内的含氧化剂的组合物用于硅抛光。然而，针对金属的CMP，常用的氧化剂主要有含铁金属的盐类，碘酸盐、双氧水等。1991年，RB.Kaufinan等报道了铁氰化钾用于金属钨的CMP技术(Chemical Mechani本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光浆料，包括氧化剂和载体，其特征在于，所述的氧化剂包含两组氧化剂，其中一组为选自高锰酸及其可溶性盐中的一种或多种，另一组为选自硝酸及其可溶性盐中的一种或多种。

【技术特征摘要】
1、一种化学机械抛光浆料，包括氧化剂和载体，其特征在于，所述的氧化剂包含两组氧化剂，其中一组为选自高锰酸及其可溶性盐中的一种或多种，另一组为选自硝酸及其可溶性盐中的一种或多种。2、 根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，所述的高 锰酸的可溶性盐选自高锰酸钠，高锰酸钾和高锰酸铵；所述的硝酸的可溶性 盐选自硝酸钠，硝酸钾和硝酸铵。3、 根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，所述的氧 化剂的总浓度为重量百分比0.02 5%。4、 根据权利要求3所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，所述的氧 化剂的总浓度为重量百分比0.15 2%。5、 根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，所述的第 一和第二组氧化剂含量比例为1:49 49:1，其中单组氧化剂的含量》重量百 分比0.01%。6、 根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，所述的化 学机械抛光浆料还包括研磨颗粒。7、 根据权利要求6所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，所述的研 磨颗粒为选自氧化硅溶胶，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]