离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备技术

一种离心沉淀方法，包括以下的步骤。提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多数个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。接着，转动发光结构，借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种沉淀方法及应用其的发光二极管与设备，且特别是有关于一种离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备。
技术介绍
目前，发光二极管(Light Emitting Diode， LED)的应用相当地广泛，例如是应用在看板、交通标志或是作为显示装置的背光源。 一般来说，发光二极管的制程大体上可分为固晶、焊线、点胶及包装的步骤。固品的步骤是固定晶片在支架的数个碗杯型凹槽内；焊线的步骤是经由焊接导线在晶片上，以电性连接晶片；点胶的步骤是注入胶体到碗杯型凹槽中，以覆盖晶片；以及包装的步骤是分割支架上的已完成的数个发光二极管，以进行包装。 进一步就点胶的步骤来说，点胶的步骤可再细分为数个子步骤，包括混合胶材及荧光粉来取得胶体、脱泡、注入胶体于碗杯型凹槽中、再脱泡、沉淀荧光粉及烘烤。沉淀荧光粉的子步骤往往成为决定发光二极管的发光成效与光、色分布均匀特性的重要关键之一。现有的用以沉淀荧光粉的方式包括对胶体加热与静置的两种方式，此两种方式将分述如下。 在对胶体加热的方式中，胶材在被加热后呈现较稀释的状态，利用荧光粉的比重相对地大于胶材的比重，使悬浮在胶体中的荧光粉得以沉积在底部。如此，荧光粉可借由与胶材在比重上的差异来沉淀到碗杯型凹槽的底部。然而，并非每种胶材受热之后的比重皆可与荧光粉的比重有显著地差异。因此，荧光粉可能因此而无法顺利地沉淀在碗杯型凹槽的底部。 另外，在静置的方式中，荧光粉借由重力来慢慢地沉淀至凹槽的底部。然而，荧光粉是否可以沉淀在凹槽的底部往往取决于静置的时间长短、胶材浓稠度与荧光粉的比重。如此，制造发光二极管的时间成本因此而提高，使得发光二极管的整体产能可能对应地减少。 因此，如何在具有效率的前提下，提出一种可让荧光粉沉淀在凹槽的底部的方法和设备，以同时对应地提高发光二极管的发光成效与品质，为相关业者努力之课题之一。
技术实现思路
本专利技术关于一种离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备，其以转动发光结构的方式来提供离心力至发光结构中，使得发光结构的胶体中的荧光粒子往凹槽的底面移动，以达到有效率地沉淀荧光粒子的效果。其中，荧光粒子的粒径以30ym以下有较佳的成效表现，然而，本专利技术并未限制可应用的荧光粒子的尺寸。此外，发光结构中的胶体的表面可因此而达到平整，且可能存在于胶体中的空气所集结而成的气泡亦可同时排出。如此，发光二极管的发光成效、良率以及品质，甚或是产能亦可对应地提升。 根据本专利技术的第一方面，提出一种离心沉淀方法，包括以下的步骤。提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面4上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。接着，转动发光结构，借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。 根据本专利技术的第二方面，提出一种发光二极管，包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子是以覆盖在凹槽的底面上以及晶片的出光面上的方式分布在胶材中。 根据本专利技术的第三方面，提出一种离心沉淀设备，应用于一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。离心沉淀设备包括一旋转设备及一固定机构。旋转设备用以带动发光结构转动，使得荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。固定机构设置在旋转设备上，用以固定发光结构。 为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下附图说明 图1A示出发光结构的示意图的一例。 图1B示出沿着图1A中的剖面线1B-1B的未经沉淀的发光二极管的剖面图。 图2示出图1A中的发光结构设置在根据本专利技术第一实施例的离心沉淀设备上的示意图。 图3示出根据本专利技术第一实施例的离心沉淀方法的流程图。 图4示出执行图3中的离心沉淀方法后的发光二极管的剖面图的一例。 图5A示出未经沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-X轴的盒型图。 图5B示出未经沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-Y轴的盒型图。 图6A中示出经过反沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-X轴的盒型图。 图6B示出经过反沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-Y轴的盒型图。 图7示出图1A中的发光结构设置在根据本专利技术第二实施例的离心沉淀设备上的示意图。 图8示出沿着图7中的剖面线8-8'的剖面图。 图9示出根据本专利技术第二实施例的离心沉淀方法的流程图。 图10为以X光照射未经沉淀的发光二极管的照片。 图11为以X光照射施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的照片。 图12为以X光照射反沉淀的发光二极管的照片。 主要元件符号说明 10 :发光结构 100 :未经沉淀的发光二极管 100':发光二极管 110 :支架 111 :凹槽 llls:底面 120 :晶片 120s :出光面 130 :胶体 131、 131，胶材 131s、131s，表面 200、200':离心沉淀设备 210、210':旋转设备 2H、211':容置槽 211s :内壁 220 、220':固定机构 230，卡匣 240':加热器 B :气泡 D:方向 Dl :第一方向 D2:第二方向 Dxll、 Dxl2、 Dx21、 Dx22、 Dyll、 Dyl2、 Dy21、 Dy22、 Dx31、 Dx32、 Dx41、 Dx42、 Dy31、Dy32、Dy41、Dy42 :数据组 Mxll、 Mxl2、 Mx21、 Mx22、 Myll、 Myl2、 My21、 My22、 Mx31、 Mx32、 Mx41、 Mx42、 My31、My32、My41、My42 :中位数 P、P':荧光粒子 Y :旋转轴心具体实施例方式本专利技术提供一种离心沉淀方法，包括以下的步骤提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。接着，转动发光结构，借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。 以下举出两个实施例，配合附图详细地说明离心沉淀方法及应用其的发光二极管及设备的特征。然而，本领域技术人员当可明了，这些附图与文字仅为说明用，并不会对本专利技术的欲保护范围造成限縮。 第一实施例 本实施例将以对图1A中的发光结构10进行离心沉淀方法来举例说明本专利技术。请参照图1A，其示出发光结构的示意图的一例。发光结构IO包括多个未经沉淀的发光二极管100，此些未经沉淀的发光二极管100尚未进行分割的步骤。 请参照图1B，其示出沿着图1A中的剖面线1B-1B的未经沉淀的发光二极管的剖面图。未经沉淀的发光二极管100包括一支架110、一晶片120及一胶体130。支架110具有一凹槽111，且凹槽111例如为碗杯型。晶片120设置在凹槽111的一底面Ills上，且晶片120例如是用以发出蓝光。胶体130包括两种胶材131 (例如是混合的A胶与B胶)与数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离心沉淀方法，包括以下的步骤：（ａ）提供一发光结构，该发光结构包括一支架、一晶片及一胶体，该支架具有一凹槽，该晶片设置在该凹槽的一底面上，该胶体包括一胶材及多个荧光粒子，该胶材填充在该凹槽内，且覆盖该晶片，该些荧光粒子分布在该胶材中；以及（ｂ）转动该发光结构，借此使该些荧光粒子往该凹槽的该底面的方向移动。

【技术特征摘要】
一种离心沉淀方法，包括以下的步骤(a)提供一发光结构，该发光结构包括一支架、一晶片及一胶体，该支架具有一凹槽，该晶片设置在该凹槽的一底面上，该胶体包括一胶材及多个荧光粒子，该胶材填充在该凹槽内，且覆盖该晶片，该些荧光粒子分布在该胶材中；以及(b)转动该发光结构，借此使该些荧光粒子往该凹槽的该底面的方向移动。2. 根据权利要求1所述的离心沉淀方法，其中该步骤(b)包括 (bl)固定该发光结构在一旋转设备上；以及(b2)以该旋转设备带动该发光结构转动。3. 根据权利要求2所述的离心沉淀方法，其中该旋转设备具有一容置槽，该步骤(bl) 固定该发光结构在该容置槽的一内壁上，该步骤(b2)利用转动的该容置槽来带动该发光 结构转动。4. 根据权利要求3所述的离心沉淀方法，其中该步骤(bl)是以该胶体面向该容置槽的 旋转轴心的方式固定该发光结构在该内壁上。5. 根据权利要求3所述的离心沉淀方法，其中该步骤(bl)包括 (bll)摆置多个发光结构在一卡匣内；以及(bl2)固定该卡匣在该容置槽的该内壁上。6. 根据权利要求5所述的离心沉淀方法，其中该步骤(bll)是以相互叠设的方式摆 置该些发光结构在该卡匣内，且以各该胶体面向该容置槽的旋转轴心的方式摆置该发光结 构。7. 根据权利要求1所述的离心沉淀方法，还包括 对该发光结构进行加热。8. 根据权利要求1所述的离心沉淀方法，还包括 摆动该发光结构。9. 根据权利要求8所述的离心沉淀方法，其中该摆动的步骤中是根据该转动该发光结 构的转速来决定是否摆动该发光结构。10. —种发光二极管，包括 一支架，具有一凹槽； 一晶片，设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏耀庆，邓嘉玲，吕铭伦，
申请(专利权)人：威力盟电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]