应用在日光灯管上的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了应用在日光灯管上的发光二极管，其通过使用PECVD（等离子增强化学气相沉积）生长二氧化硅保护层并优化光罩的方式将N电极四周边缘包裹起来，当市电或电源供应器有瞬间高电压突波的情况时，由于有二氧化硅保护层将N电极四周边缘完全包裹起来，使N电极与外延层接触的铬成分无法发生电迁移现象，改善外延层因N电极逐渐脱离而烧毁导致的死灯不良异常。经过实验验证，可降低约50%的不良率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应用在日光灯管上的发光二极管，包括发光外延层，其包括第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的发光层，其特征在于：还包括N电极结构，其由二氧化硅保护层和N电极构成，所述二氧化硅保护层将所述N电极四周边缘包裹起来。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙旭，徐宸科，庄家铭，古杰辉，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：