发光二极管及应用该发光二极管的直下式背光源制造技术

一种发光二极管，包括基板、发光二极管芯片、第一电极、第二电极、封装层及反射层，该基板开设一个凹槽，反射层贴附在该凹槽的底面上，该发光二极管芯片置于该凹槽内且位于该反射层的上方，该发光二极管芯片具有一个朝向该反射层的出光面，该封装层填充在该基板的凹槽内以覆盖该反射层且包覆该发光二极管芯片，该反射层包括一个第一反射层及一个第二反射层，该第一反射层位于该凹槽底面中央，该第二反射层环绕在该第一反射层的外围并与第一反射层相连，第一反射层的曲率小于第二反射层的曲率。第二反射层将发光二极管芯片发出的光线较多的反射到发光二极管芯片两侧，使芯片具有较强的侧向光。本发明专利技术还提供一种具有该发光二极管的直下式背光源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管及一种应用该发光二极管的直下式背光源。
技术介绍
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源，因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃，发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。现有技术的发光二极管通常包括一个基板、一个反射层、一个发光二极管芯片及一个封装层，反射层贴附在基板表面，该发光二极管芯片位于该反射层的上方，该发光二极管芯片具有一个朝向该反射层的出光面，该封装层覆盖该反射层且包覆该发光二极管芯片。发光二极管芯片发出的光线朝向反射层，反射层将光线反射到外界。然而，单个发光二极管侧向出射光的光强较小，应用该发光二极管制造背光源时，需要将多个发光二极管密集地排列设置在一个面板上。由于使用的发光二极管的数量较多，各发光二极管之间彼此间的距离较小，各发光二极管在工作时产生较多的热量，背光源内由于热量聚集会出现数个热点(hotspot),如果热量不及时地散发出去，将会使发光二极管的温度过高无法正常工作，甚至被烧坏。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种具有较强侧向出光的发光二极管及应用该发光二极管的直下式背光源。—种发光二极管，包括一个基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括一个基板、一个发光二极管芯片、第一电极、第二电极、一个封装层及一个反射层，其特征在于：该基板开设一个凹槽，所述反射层贴附在该凹槽的底面上，该发光二极管芯片置于该凹槽内且位于该反射层的上方，该封装层填充在该基板的凹槽内以覆盖该反射层且包覆该发光二极管芯片，该反射层包括一个第一反射层及一个第二反射层，该第一反射层位于该凹槽底面中央，该第二反射层环绕在该第一反射层的外围并与第一反射层相连，第一反射层的曲率小于第二反射层的曲率，该发光二极管芯片与该第一电极及第二电极电连接，该发光二极管芯片具有一个与该反射层相对的出光面。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括一个基板、一个发光二极管芯片、第一电极、第二电极、一个封装层及一个反射层，其特征在于:该基板开设一个凹槽，所述反射层贴附在该凹槽的底面上，该发光二极管芯片置于该凹槽内且位于该反射层的上方，该封装层填充在该基板的凹槽内以覆盖该反射层且包覆该发光二极管芯片，该反射层包括一个第一反射层及一个第二反射层，该第一反射层位于该凹槽底面中央，该第二反射层环绕在该第一反射层的外围并与第一反射层相连，第一反射层的曲率小于第二反射层的曲率，该发光二极管芯片与该第一电极及第二电极电连接，该发光二极管芯片具有一个与该反射层相对的出光面。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:第一反射层及第二反射层的表面均为弧面。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于:该发光二极管芯片偏离第一反射层的表面的焦点位置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超雄，林厚德，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：