一种电路板覆盖制造方法技术

技术编号:4257965 阅读:169 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种电路板覆盖制造方法,应用在电路板制造环境中,该电路板覆盖制造方法包含以下程序:利用物理方式,在填满胶体的电镀导电孔的胶体表面制造出为浅盲孔型式的微小孔洞,在此,填满胶体的该电镀导电孔位在电路板中;以及,对该电镀导电孔周围的该电路板、以及具有该微小孔洞的该胶体表面,进行镀铜程序。当镀铜程序完成后,该第二铜层镀附在该胶体表面上、以及在该电镀导电孔周围的该第一铜层上,且该第二铜层向下的凸出部将与该胶体表面的该微小孔洞紧密结合,以使经由该第二铜层紧密附着在该胶体表面、以及该第一铜层上的作用来增加该胶体表面与电镀导电孔所镀附的该第二铜层间的附着力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路板制造方法,尤其涉及一种利用物理方式的电路板覆盖制造方法
技术介绍
—般而言,在电路板中所谓的覆盖是指当电路板钻孔并镀铜后,先利用压合过程 使PP胶溢满通孔;接着,在压合前使用油墨将该通孔塞满;继而,在填孔后,再在胶体表面 上镀附电镀导电孔PTH铜层,而此制造过程即称为覆盖。 高密度连接(HDI, High Density Interconnection)为利用微导孔搭配细线与密 距,以达到高密度互连的一种技术。大致上,其孔距在6mi1(0. 15mm)以下,线宽/线距在 3mil/3mil以下(lmil为1/1000时,约25微米),而目前技术水准可达2mil以下,线宽/ 线距在lmil/lmil。对于高密度连接(HDI)而言,利用此覆盖制造过程可避免埋孔上镭射孔 无法导通的问题。 而对于全缓冲(FB-DI匪,Fully Buffered DIMM)内存模块而言,此覆盖制造过程可增加电路板内可上件区域、并保护孔铜在后续制造过程不会被药液所攻击。 然而,无论是高密度连接(HDI)或是全缓冲(FB-DI匪)内存模块,在覆盖制造过程中,为增加胶体表面与胶体表面上所镀附的电镀导电孔PTH铜层之间的结合力,通常所采取的方式为物理刷磨及/或化学咬蚀。 物理刷磨是利用物理刷磨方式,将胶体表面制造成粗糙表面,藉由该粗糙表面,能 使该胶体表面与电镀导电孔PTH铜层结合力增加而紧密结合。 化学咬蚀是利用化学药剂咬蚀胶体表面,将胶体表面制造成粗糙表面,藉由该粗糙表面,能使该胶体表面与电镀导电孔PTH铜层结合力增加而紧密结合。 然而,对于含高玻璃转移温度特性High-TG的材料而言,上述的物理刷磨及/或化学咬蚀制造过程,均无法将该胶体表面制造成一均匀且具足够附着力的粗糙表面,而影响该胶体表面与电镀导电孔PTH铜层的结合力,进而造成在再热应力测试后,该胶体表面上的该电镀导电孔PTH铜层会产生拉离现象。 所以如何寻求,可应用于含高玻璃转移温度特性 High-TG的材料,可将胶体表面与电镀导电孔PTH铜层予以紧密结合,并于再热应力测试后 不会产生拉离现象,乃是待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供,应用在电路板制造环境 中,该电路板覆盖制造方法可应用于含高玻璃转移温度特性High-TG的材料,可将胶体表 面与电镀导电孔PTH铜层予以紧密结合,并在再热应力测试后不会产生拉离现象。 为了达到上述目的,本专利技术提供了,应用在电路板制造 环境中,该电路板覆盖制造方法包含以下程序3 利用物理方式,在填满胶体的电镀导电孔的胶体表面制造出为浅盲孔型式的微小 孔洞,所述填满胶体的该电镀导电孔位在电路板中;以及 对该电镀导电孔周围的该电路板、以及具有该微小孔洞的该胶体表面,进行镀铜程序。 本专利技术中,在未进行镀铜程序之前,该电路板上已具有一第一铜层。 当该镀铜程序完成后,一第二铜层镀附在该胶体表面上、以及在该电镀导电孔周围的该电路板的该第一铜层上。 该第二铜层向下的凸出部与该胶体表面的该微小孔洞紧密结合,该第二铜层紧密 附着在该胶体表面、以及该第一铜层上。 该电路板为含高玻璃转移温度特性High-TG材料的环氧基多层板。 该电路板为含TG值高的环氧板材的多层板。 该电路板为含TG值高的环氧混合板材的多层板。 该电路板为含高玻璃转移温度特性High-TG材料的基准FR-4板材。 该微小孔洞为以镭射所造成。 该微小孔洞孔深的范围为介于0. 5mil至2mil之间。 该微小孔洞孔深为l.Omil。 本专利技术提供的电路板覆盖制造方法,可应用在含高玻璃转移温度特性High-TG的 材料,可将胶体表面与电镀导电孔PTH铜层予以紧密结合,并在再热应力测试后不会产生 拉离现象。附图说明 图l(a)至图l(c)为用以显示说明在利用本专利技术电路板覆盖制造方法前的电路板 的制造过程的连续示意图; 图2为用以显示说明利用本专利技术的电路板覆盖制造方法对图l(c)中的已完成过 胶处理的穿孔进行覆盖的流程图;以及 图3(a)与图3(b)为用以显示说明利用图2中所示的本专利技术的电路板覆盖制造方 法的流程步骤的实际施行情况的连续示意图。具体实施例方式图l(a)至l(c)为连续示意图,用以显示说明在利用本专利技术电路板覆盖制造方法 前的电路板的制造过程。如图l(a)中所示,电路板N将进行上下钻孔的动作,以得出电镀 导电孔Nl与N2。接着,如图1 (b)中所示,在电路板N上、以及电镀导电孔Nl与N2中,电镀 上第一铜层ll。继而,如图l(c)中所示,进行过胶处理,以将电路板N间隙与电镀导电孔 Nl与N2填满胶体12。 图2为一流程图,用以显示说明利用本专利技术的电路板覆盖制造方法,对图l(c)中 的已完成过胶处理的电镀导电孔,进行覆盖的流程步骤。如图2中所示,首先,在步骤101, 将利用物理方式,对已电镀第一铜层11的电路板N中的经填胶处理后含有胶体12的电镀 导电孔Nl及/或N2进行处理,在填满胶体12的该电镀导电孔Nl及/或N2的胶体表面 (图中未示)制造出一为浅盲孔型式的微小孔洞(图中未示),并进行步骤102。 在步骤102,对该电镀导电孔N1及/或N2周围的已电镀第一铜层11的该电路板N、以及对具有该微小孔洞的该胶体表面,再进行第二铜层(图未示)的镀铜程序;当镀铜程序完成后,该第二铜层镀附在该胶体表面上、以及在该电镀导电孔Nl及/或N2周围的该第一铜层ll上,且该第二铜层向下的凸出部(图未示)将与该胶体表面的微小孔洞紧密结合,以使经由该第二铜层紧密附着在该胶体表面、以及该第一铜层11上的作用来增加该胶体表面与电镀导电孔Nl及/或N2所镀附的该第二铜层间的附着力。 图3(a)与图3(b)为一连续示意图,用以显示说明按图2中的电路板覆盖制造方法的流程步骤的实际施行情况。如图3(a)中所示,利用物理方式,对已电镀第一铜层ll的电路板N中的经填胶处理后含有胶体12的电镀导电孔Nl (或N2)进行处理,在填满胶体12的该电镀导电孔N1 (或N2)的胶体表面121制造出一为浅盲孔型式的微小孔洞122,该电镀导电孔Nl(或N2)为以镭射所造成而孔深的范围为介于0. 5mil至2mil之间,在此,例如,孔深为1. Omil,电路板N为含高玻璃转移温度特性High-TG材料的环氧基多层板及/或含TG值高的环氧板材的多层板及/或含TG值高的环氧混合板材的多层板及/或含高玻璃转移温度特性High-TG材料的基准FR-4板材。 接着,如图3(b)中所示,该电镀导电孔N1(或N2)周围的已电镀第一铜层11的该电路板N、以及具有该微小孔洞122的该胶体表面121,镀附上第二铜层13 ;该第二铜层13镀附在该胶体表面121上、以及在该电镀导电孔N1(或N2)周围的该第一铜层11上,且该第二铜层13向下的凸出部131将与该胶体表面121的该微小孔洞122紧密结合,以使经由该第二铜层13紧密附着在该胶体表面121、以及该第一铜层11上的作用来增加该胶体表面121与电镀导电孔Nl及/或N2所镀附的该第二铜层间的附着力。 综合以上的实施例,我们可以得到本专利技术的,应用在电路板制造环境中,本专利技术的电路板覆盖制造方法,首先,利用物理方式,对已电镀第一铜层的电路板中的经填胶处理后含有胶本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电路板覆盖制造方法,应用在电路板制造环境中,其特征在于,该电路板覆盖制造方法包含以下程序:利用物理方式,在填满胶体的电镀导电孔的胶体表面制造出为浅盲孔型式的微小孔洞,所述填满胶体的电镀导电孔位于电路板中;以及对该电镀导电孔周围的该电路板、以及具有该微小孔洞的该胶体表面,进行镀铜程序。

【技术特征摘要】
一种电路板覆盖制造方法,应用在电路板制造环境中,其特征在于,该电路板覆盖制造方法包含以下程序利用物理方式,在填满胶体的电镀导电孔的胶体表面制造出为浅盲孔型式的微小孔洞,所述填满胶体的电镀导电孔位于电路板中;以及对该电镀导电孔周围的该电路板、以及具有该微小孔洞的该胶体表面,进行镀铜程序。2. 如权利要求1所述的电路板覆盖制造方法,其特征在于,在未进行镀铜程序之前,该 电路板上已具有一第一铜层。3. 如权利要求2所述的电路板覆盖制造方法,其特征在于,当该镀铜程序完成后,一第 二铜层镀附在该胶体表面上、以及在该电镀导电孔周围的该电路板的第一铜层上。4. 如权利要求3所述的电路板覆盖制造方法,其特征在于,该第二铜层向下的凸出部 与该胶体表面的该微小孔洞紧密结合,该第二铜层紧密附着在该胶体表面、以及该第一铜 层上。5. 如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨伟雄石汉青杨帝威胡子健
申请(专利权)人:健鼎无锡电子有限公司
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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