一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。本发明专利技术的金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法包括下列步骤：步骤１，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤２，通过化学机械研磨机台研磨经步骤１后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；步骤３，重新沉积金属薄膜层及各相关层。通过本发明专利技术的方法，可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常水平，从而减少报废，提升产品的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺
，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子(in film particle)的重新加工方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，在金属沉积过程中会因为机台或者环境异常产 生薄膜内粒子。按照目前的做法，当薄膜中的粒子率(particleratio)超过 一定标准时，整个晶片就需要报废。显然的，这会使的产品的合格率下降， 从而增加单个成品的成本。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺点，本专利技术提出了一种金属沉积后薄膜内粒子 的重新加工方法。本专利技术的，包括下列步骤步骤1，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤2，通过化学机械研磨(CMP)机台研磨经步骤1后剩余的金属 薄膜层和粒子，将其一起除去；步骤3，重新沉积金属薄膜层及各相关层，该重新沉积过程可以按照 正常的流程进行。上述步骤1中蚀刻的时间可以是预先固定的。经上述步骤1蚀刻后，剩余的金属薄膜层的厚度例如可以为1000埃 左右。上述金属薄膜层例如可以为铝层，上述化学机械研磨机台可以为钨化学机械研磨(WCMP)机台。通过本专利技术的方法，可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常 水平，从而减少报废，提升产品的合格率。而将上述方法分为蚀刻和钨化 学机械研磨两个步骤，可以减少重新加工的费用。附图说明图1为沉积金属薄膜后具有薄膜内粒子的晶片的示意图2为标示出图1中的晶片的蚀刻区域的示意图3为图1中具有薄膜内粒子的晶片经蚀刻后的示意图4为图3中的晶片经化学机械研磨去除金属薄膜层后的示意图5为图4中的晶片重新沉积金属薄膜层后的示意图。具体实施例方式下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。对于 所属
的技术人员而言，从对本专利技术的详细说明中，本专利技术的上述 和其他目的、特征和优点将显而易见。下面以图1所示的晶片为例说明本专利技术的方法，图1中的晶片包括硅 底层10，硅底层10之上的Si02层20、 Si02层20中具有若干钨塞21， Si02 层20之上的金属Al层30、在该金属Al层30中具有若干粒子31 。当检测得该粒子31在金属Al层30中的比率超过一定标准时，可以 使用本专利技术的方法使其粒子率恢复至正常水平。首先，通过金属蚀刻机台对上述含有粒子31的金属Al层30进行蚀 刻。例如，固定时间，蚀刻至剩余1000埃(A)金属A1层30。该蚀刻时 间可以通过下列方法计算得到蚀刻时间=(金属A1层的厚度-1000A) /蚀刻率图2中虚线框41圈出了欲蚀刻掉的金属Al层30的范围，图3示出了蚀刻后的晶片示意图，图中剩余的金属A1层30的厚度为1000A,粒子 31仍然附着在金属Al层30之上。接着，可以通过钨化学机械研磨(WCMP)机台进行研磨，将剩余金 属Al层30连同其上的粒子31 —起去除，研磨完毕后的晶片如图4所示。然后，研磨后晶片可重新进入Al溅镀机台按照正常流程沉积金属Al 及前后各相关层，重新沉积铝层39之后的晶片如图5所示。通过以上方法，可以使因粒子率超过一定标准而欲报废的晶片的粒子 率恢复至正常水平，从而提高产品的合格率。虽然，本专利技术已通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离 本专利技术精神及其实质的情况下，所属
的技术人员当可根据本专利技术 作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本专利技术的 权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法，其特征在于包括下列步骤：　步骤１，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；　步骤２，通过化学机械研磨机台研磨经步骤１后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；　步骤３，重新沉积 金属薄膜层及各相关层。

【技术特征摘要】
1. 一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法，其特征在于包括下列步骤步骤1，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤2，通过化学机械研磨机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；步骤3，重新沉积金属薄膜层及各相关层。2. 根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国冉，陈立轩，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]