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本发明涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。本发明的金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法包括下列步骤：步骤１，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤２，通过化学机械研磨机台研磨经步骤１后剩...
该专利属于和舰科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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