半导体发光器件制造技术

本发明专利技术实施方案涉及一种半导体发光器件。根据实施方案的半导体发光器件包括：含有多个化合物半导体层的发光结构；在发光结构下的第一电极；在发光结构上的第二电极层；在发光结构和第二电极层之间的第一绝缘层；和在第一绝缘层下形成并电连接至第一电极的金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于其极好的物理和化学性能，所以作为用于发光器件例 如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等的芯材料而得到关注。III-V族氮化物半导体包 括具有式InxAlyGai—x—yN(其中0《x《l，0《y《l，0《x+y《1)的半导体材料。 发光二极管(LED)是一种使用化合物半导体的特性将电转化为红外线或者光以 传输和接收信号或者用作光源的半导体器件。 由这些氮化物半导体材料制成的LED或者激光二极管(LD)广泛地用于发光器件 以获得光，并用作用于各种产品例如移动电话的键盘发光二极管、电广告牌和照明器件的 光源。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供具有电容器结构的半导体发光器件。 本专利技术实施方案提供半导体发光器件，其通过在金属层和第二电极层之间布置绝 缘层以实现电容器来改善ESD(静电放电)特性。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括含有多个化合物半导体层的发光 结构；在发光结构下的第一电极；在发光结构上的第二电极层；在发光结构和第二电极层 之间的第一绝缘层；和在第一绝缘层下形成并电连接至第一电极的金属层。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括含有第一导电半导体层、在第一导 电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导 体层下的第一电极；在第二导电半导体层上的第二电极层；在发光结构外侧上的第二绝缘 层；在第二电极层下的第一绝缘层；和包含在第一绝缘层周边之下的环状图案以及在第二 绝缘层上的电连接至第一电极的连接图案的金属层。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括第一导电半导体层；在第一导电 半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电半导体层；在第一导电半导体层下的第一电 极；在第二导电半导体层上的第二电极层；在第二导电半导体层和第二电极层之间的第一 绝缘层；和在第一绝缘层下形成并电连接至第一电极的金属层，其中第一绝缘层包含在从 第二导电半导体层至第一导电半导体层的上部的一定区域上的以闭环形状设置的突起。 在附图和以下的描述中阐述一个或更多个实施方案的细节。通过说明书和附图以 及通过权利要求使其它特征可变得显而易见。附图说明 图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图2是图1的平面图。 图3是说明图1的等效电路的电路图。 图4 11是说明制造图1中的半导体发光器件的工艺的示意图。 图12是根据第二实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图13是图11的底视图。 图14是根据第三实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图15是根据第四实施方案的半导体发光器件的底视图。具体实施例方式现在将详细说明本专利技术的实施方案，在附图中对其实施例进行说明。在实施方案 的描述中，可参考附图来描述每层的上或者下，每层的厚度仅仅描述作为例子而不限 于附图中的厚度。 在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或者元件称为在另一衬 底、层(或膜)、区域或图案'上'或者'下'时，所述'上'和'下'包括'直接'和'间接'在 其'上'和'下'两种含义。 图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图，图2是图1的平面图， 图3是说明图1的等效电路的电路图。 参考图1和2，半导体发光器件100包括发光结构135、第一绝缘层140、第二电 极层150、导电支撑构件160、第二绝缘层180和金属层190。 发光结构135包括使用多个化合物半导体层例如III-V族化合物半导体的LED，所 述LED可为发出蓝色光、绿色光或者红色光的彩色LED或者UV LED。在实施方案技术范围 内可以不同方式实施LED的发光。化合物半导体可具有但不限于下式InxAlyGai—x—yN(其中 0《x《l，O《y《l，O《x+y《1)。 发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。 第一导电半导体层IIO可由掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体 例如GaN、AlN、AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGalnP中 的至少一种形成。在其中第一导电半导体层IIO为N型半导体的情况下，第一导电掺杂剂 包括N型掺杂剂，例如Si、 Ge、 Sn、 Se和Te。第一导电半导体层110可形成为单层或多层， 但本专利技术不限于此。 第一电极171在第一导电半导体层110下形成，第一电极171可形成为具有预定 形状的预定图案，但是本专利技术不限于此。第一电极171可包括焊盘。 第一电极171可使用选自以下而不限于以下的材料形成Ti、 Al、 In、 Ta、 Pd、 Co、 Ni、Si、Ge、Ag禾口 Au。 有源层120在第一导电半导体层IIO上形成并可形成为单量子阱结构或者多量子 阱结构。可以使用III-V族元素的化合物半导体材料由阱层和势垒层的结构例如InGaN阱 层/GaN势垒层来周期性地形成有源层120。导电覆层可在有源层120上和/或下形成，导电覆层可由AlGaN-基半导体形成。 第二导电半导体层130在有源层120上形成，并可由掺杂有第二导电掺杂剂的 III-V族元素化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、 GaAs、GaAsP和AlGalnP中的至少一种形成。在其中第二导电半导体层130是P-型半导体 的情况下，第二导电掺杂剂包括P-型掺杂剂例如Mg和Zn。第二导电半导体层130可形成 为单层或多层，但是本专利技术不限于此。 第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130可定义为发光结构 135。 还可在第二导电层120上提供N-型半导体层或者P-型半导体层。此外，第一导电半导体层110可包括P-型半导体层，而第二导电半导体层130可包括N-型半导体层。因此，发光结构135可包括选自N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结中的至少一种。 在第二导电半导体层130的顶部周边上形成第一绝缘层140。第一绝缘层140可在第二导电半导体层130的周边区域上形成为带状、环状和框状(frame shape)的连续图案。 第一绝缘层140可由透明绝缘材料形成，所述透明绝缘材料可包括Si02、 SiOx、 SiOxNy或者Si3N4。 第一绝缘层140可改善与用于第二导电半导体层130的材料的粘附力。第一绝缘层140可形成为具有2 m或更小的宽度或者厚度，但是本专利技术不限于此。 第一绝缘层140的外侧暴露于第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130的外周105。因此，第一绝缘层140可将第二电极层150与第二导电半导体层130分离。 在制造工艺期间辐照的激光传输通过第一绝缘层140以解决发光结构135的侧面 分层。第一绝缘层140也可防止由第二电极层150或者导电支撑构件160产生的金属碎屑 引入半导体层H0、120和130的外侧。此外，第一绝缘层140可防止湿气渗透到半导体层 110、 120和130的外侧中。 可在第一绝缘层140和第二导电半导体层130上形成第二电极层。第二电极层可 包括第二电极层15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：包含多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构下的第一电极；在所述发光结构上的第二电极层；在所述发光结构和所述第二电极层之间的第一绝缘层；和在所述第一绝缘层下形成的并电连接至所述第一电极的金属层。

【技术特征摘要】
KR 2008-10-27 10-2008-0105257一种半导体发光器件，包括包含多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构下的第一电极；在所述发光结构上的第二电极层；在所述发光结构和所述第二电极层之间的第一绝缘层；和在所述第一绝缘层下形成的并电连接至所述第一电极的金属层。2. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述金属层和所述多个化合物半导 体层之间的第二绝缘层。3. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述金属层包括闭环图案或者开环图 案，并沿所述第一绝缘层的周边形成为对应于所述第二电极层。4. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包含 在所述第一电极上的第一导电半导体层； 在所述第一导电半导体层上的有源层；禾口 在所述有源层和所述第二电极层之间的第二导电半导体层。5. 根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包含在所述第二导电半 导体层和所述第二电极层之间的N-型半导体层或者P-型半导体层。6. 根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘层沿所述第二导电半导 体层和所述第二电极层之间的周边形成为框状的连续图案。7. 根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘层包括在从所述第二导 电半导体层至所述第一导电半导体层的上部的一定区域上设置为闭环状的突起。8. 根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中在所述第一绝缘层的所述突起的内侧 设置有所述有源层的钝化区。9. 一种半导体发光器件，包括含有第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层以及在所述有源层上的 第二导电半导体层的发光结构；在所述第一导电半导体层下的第一电极； 在所述第二导电半导体层上的第二电极层； 在所述发光结构的外侧上的第二绝缘层； 在所述第二电极层下的第一绝缘层；禾口包含在所述第一绝缘层的周边下的环状图案和在所述第二绝缘层上的电连接至所述 第一电极的连接图案的金属层。10. 根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]