一种刻蚀铜的方法技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，具体公开了一种刻蚀铜的方法。该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充ｌｏｗ－ｋ介质。由于光的各向异性特性，本发明专利技术提出的湿法刻蚀也具有各向异性的特性，这样可以实现铜和其它多种金属的各向异性刻蚀，同时这也解决了集成电路铜互连中的ｌｏｗ－ｋ刻蚀、孔洞等问题。

【技术实现步骤摘要】

本发微电子
，具体明涉及一种低介电常数(低k)介质与铜互联的技术，特别涉及。
技术介绍
随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸越来越小， 集成度越来越高，超大规模集成电路(ULSI)中设计的金属导线变细使得金属电阻增大，产 生的热量增多，从而产生了严重的电迁移现象，同时由于线间电容和金属电阻增大引起的 延迟(RC Delay)也不断恶化，这些都大大影响了半导体芯片的性能。 与传统的铝相比，铜有以下优点第一，铜的电阻率更小(Cu:1.7ii Q/cm， Al : 3ii Q/cm)。第二，铜互连线的寄生电容比铝互连线小。由于铜的电阻率比铝低，导电性好， 在承受相同电流时，铜互连线横截面积比铝互连线小，因而相邻导线间的寄生电容小，信号 串扰也小。铜互连线的时间参数RC比铝互连小，信号在铜互连线上传输的速度也比铝互连 快，这对高速IC是很有利的。第三，铜互连线的电阻小，使得铜互连线上功耗比铝互连小。 第四，铜的抗电迁移率比铝好(Cu < 107A/cm2， Al < 106A/cm2)，不会因为电迁移产生连线 空洞，从而提高了器件可靠性。因此，采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀铜的方法，其特征是，包括下列步骤：提供一个集成电路衬底；在所述衬底上淀积铜；在铜上形成由第一种材料构成的第一种薄膜；光刻后刻蚀部分第一种薄膜；将其放在含有双氧水和臭氧的溶液中，并用光线垂直照射铜；刻蚀部分铜；去除第一种薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]