液晶显示器阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种液晶显示器阵列基板及其制造方法。制造方法包括：在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；形成包括数据线、源电极、漏电极和ＴＦＴ沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状；形成钝化层图形；形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。本发明专利技术通过将数据线两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状，有效分散了数据线边角可能引起的静电释放，同时在封框胶区域形成防静电电极，降低了金球表面静电累积的密度，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器及其制造方法，特别是一种液晶显示器阵 列基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)的主体结构包括对盒在一起 并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号 的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极，彩膜基板上形 成有黑矩阵、彩色树脂和提供公共电压的公共电极。在将阵列基板和彩膜基 板对盒在一起的一次性封框胶涂覆工艺中，为了保证阵列基板的公共电极和 彩膜基板的公共电极导通，通常在封框胶中掺入一定比例和大小的金球。图21为现有技术封框胶区域的平面图，图22为图21中E-E向剖面图。 阵列基板上涂覆封框胶的区域称之为封框胶区域100,封框胶区域100与阵 列基板10上的数据线11有重叠，当阵列基板10和彩膜基板20通过封框胶 对盒后，封框胶中掺入的金球30将会分布在封框胶区域100内，尤其是封框 胶区域100与数据线11重叠的区域。当后续工艺出现静电时，由于数据线 11和金球30的存在，静电将会集中在两个位置 一个是金球30表面， 一个 是数据线ll表面，而根据尖端放电原理，数据线11表面上的静电将会集中 在数据线11的边角位置。实际生产表明，现有技术具有尖锐边角的数据线形状非常容易使静电在 数据线边角和金球之间产生静电释放，烧毁钝化层12,造成数据线11和金 球30之间发生短路。由于金球30与彩膜基板20的公共电极21直接连接， 数据线11和金球30之间的短路导致该位置的数据线11与彩膜基板20的公共电极21导通，显示区域的信号不能被传递，液晶分子不能偏转，出现亮线 不良。由于该亮线不良缺陷发生在成盒工艺之后，修复难度很大，修复成功 率不高，降低了生产良品率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，有效解决 现有液晶显示器由于数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方法， 包括步骤ll、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、 TFT沟道区域和钝化层的结构图形；步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶 区域内形成防静电电极图形。为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方 法，包括步骤21、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；步骤22、在完成步骤21的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状；步骤23、在完成步骤22的基板上形成包括钝化层和像素电极的结构图形。所述步骤22可以具体包括在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜； 在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数 据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用湿法刻蚀工艺对未覆盖 光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT 沟道区域的结构图形，且刻蚀中，沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的斜坡状；剥离剩余的光刻胶。所述步骤22也可以具体包括在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄 膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理， 使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用干法刻蚀工艺对未 覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和 TFT沟道区域的结构图形，然后通过至少一次的光刻胶灰化、数据线边缘刻 蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的阶梯状；剥离剩余的光 刻胶。在上述技术方案基础上，所述步骤23具体包括在完成步骤22的基板 上形成钝化层图形；在形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静 电电极图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种液晶显示器阵列基板，包括形成 在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，还包括与所述像素 电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于 数据线上方。为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种液晶显示器阵列基板，包括形 成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，在封框胶区域， 所述数据线的两侧^没置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状。进一步地，还包 括与所述像素电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶 区域，并位于凝:据线上方。本专利技术提供了 一种，通过将数据线两 側设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状，有效分散了数据线边角可能引起 的静电释放，同时在封框胶区域形成防静电电极，防静电电极与金 连接， 当金球表面有静电累积时，利用大面积的防静电电极增加金球表面静电释放 的面积，降低金球表面静电累积的密度，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图l为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第一实施例的流程图； 图2为本专利技术第一实施例中形成防静电电极后的平面图； 图3为图2中A-A向剖面图4为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例的流程图； 图5为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例第一种实施 方法的流程图6为本专利技术第二实施例第一种实施方法中数据线刻蚀后的平面图； 图7为图6中B-B向剖面图8为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例第二种实施 方法的流程图9为本专利技术第二实施例第二种实施方法中形成数据线后的剖面图IO为本专利技术第二实施例第二种实施方法中灰化工艺后的剖面图11为本专利技术第二实施例第二种实施方法中第二次刻蚀工艺后的剖面图12为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例的流程图； 图13为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例第一种实 施方法的流程图14为本专利技术第三实施例第一种实施方法形成防静电电极后的平面图； 图15为图14中C-C向剖面图16为本专利技术第三实施例第一种实施方法中封框胶区域的平面图； 图17为图16中D-D向剖面图18为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例第二种实施方法的流程图19为本专利技术第三实施例第二种实施方法形成防静电电极后的结构示意图20为本专利技术第三实施例第二种实施方法中封框胶区域的结构示意图21为现有技术封框胶区域的平面图； 图22为图21中E-E向剖面图。 附图标记说明IO—阵列基板； 20—彩膜基板； 30—金球；40—防静电电极； 50—光刻胶； 11—数据线；12 —钝化层； 21 —公共电极。具体实施例方式图1为本专利技术液晶显示器阵列基板的制造方法第一实施例的流程图，具 体包括步骤ll、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、 TFT沟道区域和钝化层的结构图形；步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶 区域内形成防静电电极图形。本实施例提供了 一种液晶显示器阵列基板的制造方法，在形成像素电极 图形的同时形成防静电电极，且防静电电极位于封框胶区域内，封框胶区域 是后续阵列基板和彩膜基板对盒时涂覆封框胶的区域，而封框胶中含有金 球。在阵列基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：　　　　步骤１１、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、ＴＦＴ沟道区域和钝化层的结构图形；　　　　步骤１２、在完成步骤１１的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱海军，王章涛，闵泰烨，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]