薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，在基板之上形成有形成有像素电极以及透明导电层；像素电极上形成有漏电极，透明导电层上形成有数据扫描线和源电极，且源电极与数据扫描线连接，漏电极与像素电极连接；源电极与漏电极上依次形成有欧姆接触层与半导体层，欧姆接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；源电极及漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆盖的部分以及半导体层上形成有钝化层；所述钝化层上依次形成有栅极扫描线和栅电极、以及栅电极绝缘层。本发明专利技术同时提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，所述像素结构和制造方法能够节省制造工艺过程，并增大存储电容。

Thin film transistor liquid crystal display pixel structure and manufacturing method thereof

The present invention provides a thin film transistor liquid crystal display pixel structure, forming a pixel electrode and a transparent conductive layer is formed on the substrate; a drain electrode formed on the pixel electrode, a data scanning line and the source electrode forming a transparent conductive layer, and the source electrode and the data scanning line connected to the drain electrode is connected to the pixel electrode; the source electrode and the drain layer and the semiconductor layer are sequentially formed ohmic contact layer respectively, and a source electrode and a drain electrode contact part of the ohmic contact are not connected with each other; the source electrode and drain electrode is not ohmic contact part, ohmic contact layer covering the passivation layer has not been formed covering part of the semiconductor layer and semiconductor layer; a gate scan line and a gate electrode and a gate electrode insulating layer are sequentially formed on the passivation layer. The invention also provides a method for manufacturing a pixel structure of a thin film transistor liquid crystal display. The pixel structure and the manufacturing method can save the manufacturing process and increase the storage capacity.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)阵列基板，尤其涉及 。
技术介绍
目前，世界已进入信息革命时代，显示技术及显示器件在信息技术的发展 过程中占据了十分重要的地位。其中，平板显示由于具有重量轻、厚度薄、体 积小、无辐射、不闪烁等优点，已成为显示技术发展的方向。在平板显示技术 中，TFTLCD因其具有功耗低、制造成本相对较低、无辐射的特点，在平板显 示器巿场中占据了主导地位。TFTLCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的，图1 ~图 lb所示是目前主流的非晶硅TFT结构单一像素俯视图、及其A-A和B-B部位 的截面示意图。如图1~图lb所示，该非晶硅TFT结构釆用背沟道腐蚀的底栅 结构，该阵列结构包括 一组栅极扫描线1和与之垂直的一组数据扫描线5， 相邻的栅极扫描线l和数据扫描线5定义一个像素区域。每一个像素包含有一 个TFT开关器件、像素电极IO和部分的公共电极引线11,所述TFT开关器件 由栅电极2、欧姆接触层14、半导体层3、栅电极绝缘层4、以及源电极6和漏 电极7组成；在栅电极2、欧姆接触层14、半导体层3、栅电极绝缘层4、以及 源电极6和漏电极7之上覆盖有钝化层8，并且，在漏电极7上方形成钝化层 过孔9;像素电极10通过钝化层过孔9与TFT的漏电极7相连接；像素电极 10 —部分和栅极扫描线1 一起形成存储电容(图中未示出)。为了进一步降低 对盒后像素间的漏光，在像素平行于数据扫描线5的两侧形成挡光条12。上述图1~图lb所示的像素结构， 一般使用5-Mask工艺制造。5-Mask工艺是目前制作TFT的典型工艺技术，其主要工艺步骤如图2所示，包括步骤201 -202:形成栅电极及其引线，形成栅电极绝缘层、欧姆接触层和 半导体层；步骤203 -205:形成源电极、漏电极及数据扫描线；形成钝化层及像素电极。图2所示的每个步骤都包括薄膜沉积工艺、以及曝光和刻蚀等构图工艺。 除图2所示的5-Mask技术，在现有技术中，通过改变Mask设计和工艺流程， 也可产生其它的Mask工艺技术，这里不再赘述。使用上述5-Mask工艺所制造的图1~图lb所示的像素结构，由于像素电 极10与栅极扫描线1之间存在栅电极绝缘层4和钝化层8,所以，存储电容(图 中未示出)较小，进而跳变电压较大，会影响画面显示品质。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结 构及其制造方法，能够在简化工艺过程的同时，提高画面显示品质。 为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的本专利技术提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括基板；所述基板 之上形成有像素电极以及透明导电层；所述像素电极之上形成有漏电极，所述透明导电层之上形成有数据扫描线 和源电极，且所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；所述源电极与漏电极之上依次形成有欧姆接触层、以及半导体层，且欧姆接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；源电极、漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆盖的部分、以及半导体层之上均形成有钝化层； 所述钝化层之上形成有栅极扫描线及栅电极； 所述栅极扫描线和所述栅电极之上形成有栅电极绝缘层。其中，源电极与漏电极之间的欧姆接触层包含有半导体掺杂区域，所述半 导体掺杂区域使欧姆接触层分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接。 该像素结构还包括所述钝化层之上、栅电极绝缘层之下还形成有挡光条和公共电极引线，所 述挡光条平行于所述数据扫描线，所述公共电极引线平行于所述栅极扫描线。所述栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极、公共电极引线或挡光条 为铝、铬、锡、钽、钛、钼及钼镍之一构成的单层、或上述金属材料任意组合 构成的单层或复合层。所述像素电极和所述透明导电层为相同材料部分，且所述像素电极与所述 透明导电层互不连接。本专利技术同时提供了 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，该方法包括A、 在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，通过构图工艺在基板上形 成像素电极、源电极、漏电极和数据扫描线，且使得所述源电极与所述数据扫 描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；B、 在完成步骤A的基板上沉积欧姆接触层薄膜，通过一定的工艺使得欧 姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接，之后，沉积半导体 层薄膜，通过构图工艺在所述源电极和漏电极上形成欧姆接触层以及半导体层；C、 在完成步骤B的基板上沉积钝化层薄膜，形成钝化层；D、 在完成步骤C的基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺形成栅极扫描线、 栅电极；E、 在完成步骤D的基板上形成栅电极绝缘层。其中，所述通过一定的工艺使得欧姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连 接的部分互不连接具体为首先在沉积的欧姆接触层薄膜上涂布一层光刻胶，通过曝光显影工艺将半 导体掺杂区域对应的欧姆接触层薄膜暴露出来，对暴露出来的所述欧姆接触层 薄膜使用半导体掺杂工艺形成半导体掺杂区域，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜7上的光刻胶。所述通过一定的工艺使得欧姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接具体为先在沉积的欧姆接触层薄膜上涂布一层光刻胶，通过曝光显影工艺将半导 体掺杂区域对应的欧姆接触层薄膜暴露出来，使用构图工艺刻蚀掉暴露出来的 所述欧姆接触层薄膜，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜上的光刻胶。步骤B中所述欧姆接触层和半导体层为形成半岛体掺杂区域之后，使用同一掩膜板在构图工艺中同时形成。步骤A具体为在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，在所述金属薄膜之上涂布一层 光刻胶，用掩模板全曝光出数据扫描线、源电极、漏电极以及像素区域；对所述像素区域进行灰化处理，去掉所述像素区域之上的光刻胶后，刻蚀 掉所述像素区域的金属薄膜层，形成像素电极。步骤D中在通过构图工艺形成栅极扫描线和栅电极的同时，还形成公共电 极引线以及挡光条。所述形成栅电极绝缘层具体为沉积栅电极绝缘层，并通过构图工艺在基板周边形成过孔，以暴露出基板 周边的信号引线；或者，使用掩膜生长工艺形成栅电极绝缘层。本专利技术所提供的，将数据扫 描线、源电极、漏电极和像素电极在一次曝光工艺中形成，而不是如现有技术 中，将数据扫描线、源电极、漏电极在一次曝光工艺中形成，将像素电极在另外一次曝光工艺中形成；将欧姆接触层和半导体层在一次刻蚀工艺中形成，而不是分别在两次刻蚀工艺中形成，如此，大大简化了工艺过程。并且，由于将 数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极在一次曝光工艺中形成，取消了栅极 绝缘层和钝化层过孔，由此，像素电极与栅极扫描线之间只存在钝化层，缩小 了像素电极与栅极扫描线之间的间距，进而增大了存储电容，减小了跳变电压，从而可以有效改善和提高画面显示品质。 附图说明图1为现有技术中TFT LCD阵列基板上单一像素结构俯视图； 图la为图1的A-A部分横截面示意图； 图lb为图1的B-B部分横截面示意图； 图2为现有技术5-Mask工艺流程示意图； 图3为本专利技术中TFT LCD阵列基板上单一像素结构俯视图； 图3a为一种图3的C-C部分横截面示意图； 图3b为另一种图3的C-C部分横截面示意图； 图3c为图3的D-D部分横截面示意图； 图4为本专利技术TFT LCD像素结构制造方法流程示意图； 图5a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括基板；其特征在于，所述基板之上形成有像素电极以及透明导电层；　所述像素电极之上形成有漏电极，所述透明导电层之上形成有数据扫描线和源电极，且所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；　所述源电极与漏电极之上依次形成有欧姆接触层、以及半导体层，且欧姆接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；　源电极、漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆盖的部分、以及半导体层之上均形成有钝化层；所述钝化层之上形成有栅极扫描线及栅电极；　所述栅极扫描线和所述栅电极之上形成有栅电极绝缘层。

【技术特征摘要】
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括基板；其特征在于，所述基板之上形成有像素电极以及透明导电层；所述像素电极之上形成有漏电极，所述透明导电层之上形成有数据扫描线和源电极，且所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；所述源电极与漏电极之上依次形成有欧姆接触层、以及半导体层，且欧姆接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；源电极、漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆盖的部分、以及半导体层之上均形成有钝化层；所述钝化层之上形成有栅极扫描线及栅电极；所述栅极扫描线和所述栅电极之上形成有栅电极绝缘层。2、 根据权利要求l所述的像素结构，其特征在于，源电极与漏电极之间的 欧姆接触层包含有半导体掺杂区域，所述半导体掺杂区域使欧姆接触层分别与 源电极和漏电极连接的部分互不连接。3、 根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括 所述钝化层之上、栅电极绝缘层之下还形成有挡光条和公共电极引线，所述挡光条平行于所述数据扫描线，所述公共电极引线平行于所述栅极扫描线。4、 根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极、公共电极引线或挡光条为铝、铬、钨、钽、钛、钼 及销镍之一构成的单层、或上述金属材料任意组合构成的单层或复合层。5、 根据权利要求1至3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电 极和所述透明导电层为相同材料部分，且所述像素电极与所述透明导电层互不 连接。6、 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该方法 包括A、 在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，通过构图工艺在基板上形 成像素电极、源电极、漏电极和数据扫描线，且使得所述源电极与所述数据扫 描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；B、 在完成步骤A的基板上沉积欧姆接触层薄膜，通过一定的工艺使得欧 姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接，之后，沉积半导体层薄膜，通过构图工艺在所述源电极和漏电极上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]