共享存储单元的分栅式闪存制造技术

本发明专利技术提出一种共享存储单元的分栅式闪存，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；存储单元，位于所述沟道区上方；字线，位于所述存储单元上方；第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储单元两侧，其中，所述存储单元包括第一存储部分和第二存储部分，所述第一存储部分邻近第一选择栅，所述第二存储部分邻近第二选择栅，所述存储单元为氮化硅存储单元。本发明专利技术提出的共享存储单元的分栅式闪存，实现单字节存储面积缩小的同时，也可以避免过擦除的问题。

Split gate flash of shared memory cell

The invention provides a split gate type flash memory, a shared storage unit comprises a semiconductor substrate, which is set between the source region and the drain region; the channel region, located between the source region and the drain region; a storage unit is located above the channel region; word line at the upper part of the storage unit; the first select gate and select gate second, are respectively positioned on the both sides, a word line and a storage unit, the storage unit includes first and second storing portions, wherein the first storage section adjacent to the first selection gate, the second storage part adjacent to the second selection gate, the storage unit for the silicon nitride storage unit. The split gate flash memory of the shared memory cell proposed by the invention reduces the single byte storage area while avoiding the problem of over erasing.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设计制造领域，且特别涉及一种共享存储单元的分栅式闪存。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热 点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对 存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪 存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制 门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消 失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非 挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。 然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到编程电压的限制，通过 縮小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战，因而研制高存储密度的闪存是闪存 技术发展的重要推动力。传统的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到结构的限 制，实现器件的编程电压进一步减小将会面临着很大的挑战。 —般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于 其特殊的结构，相比堆叠栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，包括：　　半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；　　沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；　　存储单元，位于所述沟道区上方；　　字线，位于所述存储单元上方；　　第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储单元两侧，　　其中，所述存储单元包括第一存储部分和第二存储部分，所述第一存储部分邻近第一选择栅，所述第二存储部分邻近第二选择栅，所述存储单元为氮化硅存储单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]