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本发明提出一种共享存储单元的分栅式闪存，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；存储单元，位于所述沟道区上方；字线，位于所述存储单元上方；第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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