检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法技术

技术编号:4173805 阅读:614 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术一种检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤1:在固定浓度的嵌段共聚物胶束溶液中,分别加入不同量的金属盐,从而得到多组具有不同金属盐浓度的胶束溶液;步骤2:利用旋涂法将多组负载有不同量金属盐的嵌段共聚物胶束溶液分别沉积到红外可透过的单晶硅衬底上,得到金属盐负载的胶束阵列;步骤3:分别对硅衬底上负载有不同量金属盐的胶束阵列进行红外吸收谱测量;步骤4:将测量的结果进行分析,得出这种嵌段共聚物对此种金属盐的最大负载量以及键合方式。

Method for detecting the ability of block copolymer micellar solutions to load metal salts

The invention relates to a method for detection of block copolymer micellar solution of metal salt load capacity, which is characterized in that the method comprises the following steps: Step 1: at a fixed concentration of the block copolymer micelle solution, metal salts were added different amounts, to get group has a micellar solution with metal salt concentration; step 2: by spin coating method, multiple load monocrystalline silicon substrate different amount of metal salt micelle solutions were deposited into the infrared through the array, obtained micelles metal salt load; step 3: respectively on the silicon substrate with different amount of negative micellar arrays of metal salts of infrared absorption spectrum measurement; step 4: the measurement is analyzed, the block copolymer of the metal salt load and bonding method.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属高分子材料
,特别是一种检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法。尤其在ps-pvp系列嵌段共聚物负载金属盐方面效果显著。
技术介绍
纳米材料由于其超凡的特性,引起了人们越来越广泛的关注,而关于 纳米器件的制作方法也发生了日新月异变化。传统的光刻和电子束刻蚀技术接近了它们的理论技术极限;而且,后续加工的成本和难度也成指数的 增长。因此,寻求一种全新的手段来制备纳米器件便成了解决这个问题的关键。双亲嵌段共聚物由一亲水嵌段和一疏水嵌段组成,可以在选择性溶液 中自组装成反胶束。金属盐可以通过质子化或络合化的方式与某一嵌段结 合形成纳米反应器。最近,人们发展出利用嵌段共聚物胶束化方法制备金 属纳米颗粒的化学自组装技术,该方法可以在多种平滑衬底上制备各种不 同的金属纳米颗粒。利用这种方法制备的纳米颗粒的大小和间距可以通过 化学方法控制。得益于其尺寸均匀,规则有序的特点及良好的稳定性,这 种金属纳米颗粒在基础物理研究和纳米电子学等领域都显示出诱人的前里 足o然而,人们很难判断嵌段共聚物胶束对不同金属盐的负载能力以及键 合方式,这就限制了利用嵌段共聚物胶束制备金属纳米颗粒的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤: 步骤1:在固定浓度的嵌段共聚物胶束溶液中,分别加入不同量的金属盐,从而得到多组具有不同金属盐浓度的胶束溶液; 步骤2:利用旋涂法将多组负载有不同量 金属盐的嵌段共聚物胶束溶液分别沉积到红外可透过的单晶硅衬底上,得到金属盐负载的胶束阵列; 步骤3:分别对硅衬底上负载有不同量金属盐的胶束阵列进行红外吸收谱测量; 步骤4:将测量的结果进行分析,得出这种嵌段共聚物对此种金属盐的最大 负载量以及键合方式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高云屈盛张兴旺陈诺夫
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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