铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法技术

一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；对所述的半导体基底执行烘烤工艺；用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底；执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。本发明专利技术还提供一种铝引线焊垫的制造方法。本发明专利技术的能够提高检测的准确度。

Method for detecting copper diffusion defect in aluminium lead welding pad

A copper aluminum wire bonding pads in diffusion defect detection method, providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate having copper interconnects and the copper interconnects aluminum wire bonding pads, between the copper and aluminum wire interconnect pad with metal barrier layer on the semiconductor substrate; execution the baking process; the semiconductor substrate is cleaned with a cleaning fluid has executed the baking process; executing the cleaning process after the detection of the aluminum wire bonding pad in the copper diffusion defect; among them, the cleaning liquid is greater than the etching rate of copper etching rate of aluminum. The invention also provides a method for manufacturing the aluminum lead welding pad. The present invention can improve the accuracy of detection.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体制造技术中 。
技术介绍
铝金属具有电阻率低、易于刻蚀以及与介质材料具有较好的粘附特 性等优点，在半导体集成电路的制造工艺中，常常用作引线焊垫材料。 铝引线焊垫一般通过沉积铝层、光刻和刻蚀的工艺形成。在专利号为5785236的美国专利中，公开了 一种铝引线焊垫的制造方法。图l至 图4为与所述的美国专利公开的铝引线焊垫的制造方法相关的结构的剖 面示意图。如图1所示，提供集成电路衬底10，在所述衬底IO上形成有中间 介质层14，通过镶嵌工艺在所述中间介质层14中形成铜互连线12。如图2所示，在所述中间介质层14和铜互连线12上形成铝层20。如图3所示，通过光刻工艺形成焊垫图案22，并刻蚀所述铝层20, 形成铝引线焊垫20',所述铝引线焊垫20，位于所述铜互连线12上方。接着，去除所述焊垫图案22。如图4所示，在所述铝引线焊垫20，、中间介质层14以及铜互连 线12上形成钝化层26,并通过光刻和刻蚀工艺在所述钝化层26中形成 开口 32，所述开口 32的底部露出所述铝引线焊垫20，。由于铜易于扩散，在沉积铝层20之前，需要先在铜互连线1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，其特征在于，包括：　提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；　对所述的半导体基底执行烘烤工艺；　用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底；　执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；　其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。

【技术特征摘要】
1、一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，其特征在于，包括提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；对所述的半导体基底执行烘烤工艺；用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底；执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。2、 如权利要求1所述的铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，其 特征在于所述烘烤工艺分为两步或多个步骤进行。3、 如权利要求1或2所述的铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法， 其特征在于在每一步烘烤之后，用所述的清洗液清洗所述半导体基底 的表面。4、 如权利要求1所述的铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，其 特征在于所述的烘烤的温度为400至500。C ，时间30至60分钟。5、 如权利要求1或2或4所述的铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测 方法，其特征在于所述清洗液为含有-克酸、氢氟酸和双氧水的水溶液 或者含有盐酸的水溶液。6、 如权利要求1或2或4所述的铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测 方法，其特征在于所述清洗液为含有硫酸、氢氟酸和双氧水的水溶液， 且所述清洗液中水、^L酸、双...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁昌，唐海侠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]