粉体的合成方法以及电子部件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种粉体的合成方法，其可以减少对反应容器等的腐蚀、减少由腐蚀导致的产物中杂质的混入，或者可以扩大反应容器等的材质的选择范围。通过使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，并将生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒，与仅有水时相比，可以缓和用于形成亚临界或者超临界状态的临界条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造金属氧化物粉体的粉体合成以及电子部件的制造
，特别地，涉及用于制造钛酸钡微粒的粉体合成方法以及电子部件的制造方法，所述钛酸钡微粒为用于制造电容器、PTC元件等电子部件中所使用的电介质材料、压电材料、半导体等 电子材料。
技术介绍
—直以来，已知正方晶相钛酸钡(BaTi03)由于具有非常高的介电常数，因此，通过 将其适用于多层陶瓷电容器，从而可以将电介质层的厚度控制在几ym左右，使得电容器 可以小型化、大容量化。并且，随着电容器的小型化，电介质层的厚度也逐渐呈现薄层化的 倾向，因此，提出了将在电介质层中使用的形成电介质材料的钛酸钡粉末微粒化到nm级来 作为纳米粒子的各种方法。 作为这样的钛酸钡微粒的制造方法，提出了固相反应法、草酸法、溶胶凝胶法等各 种方法。另外，温度和压力是化学反应的重要参数，还有将反应温度加热到液体介质的沸点 以上，使体系的压力上升到高于大气压后，使液相发生反应的液相反应。作为这样的液相反 应，有水热合成法、溶剂热(solvothermal)(反应)法、超临界水热法等。另外，在将反应温 度加热到液体介质的沸点以上，使体系的压力上升到高于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粉体的合成方法，其特征在于，使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，　　将前述生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-30 2008-254432;JP 2009-8-28 2009-198510;一种粉体的合成方法，其特征在于，使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，将前述生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒。2. 根据权利要求1所述的粉体的合成方法，其特征在于，前述溶剂含有在超临界状态下能够溶解于水的有机溶剂。3. —种电子部件的制造方法，其特征在于，制造包含电子材料作为构成元件的电子部件，所述电子材料是使用通过权利要求1所述的粉体的合成方法生成的粉体微粒制得的。4. 一种粉体的合成方法，其特征在于，包括第1工序将原料和在比仅有水时更低压力和更低温度下处于超临界状态的溶剂混合而制得的原料浆料加压和加热；第2工序将加压和加热后的原料浆料和含水的反应加速剂分别供给到反应通路，并且通过对前述反应通路加压而生成亚临界或者超临界状态的反应环境；第3工序将前述生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使前述原料浆料在该反应场中停留预定时间生成粉体微粒；禾口第4工序将生成的粉体微粒冷却，使得前述粉体微粒停止生长。5. 根据权利要求4所述的粉体的合成方法，其特征在于，前述第2工序是将加压和加热后的前述原料浆料以比前述反应加速剂中所含的水更高的体积比供给到反应通路。6. 根据权利要求1或2所述的粉体的合成方法，其特征在于，进一步具有加热前述反应加速剂的工序，前述第2工序中将加热后的前述反应加速剂供给到前述反应通路。7. 根据权利要求4所述的粉体的合成方法，其特征在于，前述第2工序是在前述原料浆料与前述反应加速剂混合之前使得前述原料浆料处于超临界状态。8 根据权利要求4所述的粉体的合成方法，其特征在于，前述溶剂含有在超临界状态下能够溶解于水的有机溶剂。9. 根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄锦涛，井村友哉，中畑功，增泽清幸，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]