【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及发光芯片的外延层及其生长方法、发光芯片、显示面板。
技术介绍
1、led发光芯片是通过半导体材料中导带电子和价带空穴辐射复合产生光子，从而将电能直接转化为光能的电子元器件，与传统光源相比，其具有高效、节能、环保和长寿等优点，在节能减排、绿色发展中发挥了重要作用，被公认为二十一世纪新一代绿色照明光源。
2、常规的led发光芯片中，当led的工作电流密度增大时，能够在量子阱层的阱内载流子数量不会在随着电流密度增加而增多，会很快出现光饱和现象，导致发光强度不够高。
3、因此，增加阱内载流子的数量，提高复合效率，增加发光强度是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供发光芯片的外延层及其生长方法、发光芯片、显示面板，旨在增加阱内载流子的数量，提高复合效率，增加发光强度。
2、一种发光芯片的外延层，包括：
3、n型半导体层；
4、p型半导体层；以及
5、多量子阱层，介于所述n型半导体层和所述p型半导体层之间；
6、其中，所述多量子阱层包括至少两层叠的子量子阱层，每组所述子量子阱层均包括交替层叠的阱层和垒层，所述垒层为含铝半导体层，且沿所述n型半导体层至p型半导体层的方向，单个所述子量子阱层中的各垒层中的铝含量递增。
7、上述发光芯片的外延层中，由于沿n型半导体层至p型半导体层的方向，每组子量子阱层中各垒层中的铝含量递增，使得每
8、可选地，所述垒层的材料包含(alxga1-x)0.5in0.5p，其中，0.3<x<1。
9、可选的，所述阱层的材料对应包含algainp。
10、可选的，所述垒层的材料包含alyin1-yp，其中，0.3<y<1。
11、可选的，所述阱层的材料对应包含gainp。
12、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片的外延层的生长方法，包括：
13、生长n型半导体层；
14、在所述n型半导体层上生长形成多量子阱层；
15、在所述量子阱层上生长p型半导体层；
16、其中，所述生长形成所述多量子阱层包括生长多组层叠的子量子阱层，生长每组所述子量子阱层包括交替层叠生长阱层和垒层，并在生长垒层时摻杂铝，且在生长单组所述子量子阱层时，沿生长方向，各垒层中的摻杂的铝含量递增。
17、上述发光芯片的外延层的生长方法中，由于在生长多量子阱层的垒层时摻杂铝，且在生长单组所述子量子阱层时，各垒层中的摻杂的铝含量沿生长方向递增，使得生长形成的外延层的多量子阱层更易于阻挡电子从阱中逃离，提高电子和空穴的复合效率，增加发光强度。
18、可选的，所述垒层的形成方法包括：在形成所述阱层后，向反应室通入三甲基铝、三甲基镓和三甲基铟别分作为铝源、镓源和铟源，并调整三甲基铝、三甲基镓、和三甲基铟的比例，控制沉积时间，生长预设厚度的垒层。
19、可选的，形成所述阱层的方法包括：在预设温度和腔体压力下，通入磷烷，并以氢气为载气，通入预设比例的三甲基铝、三甲基镓和三甲基铟别分作为铝源、镓源和铟源，控制沉积时间，生长预设厚度的阱层。
20、可选的，所述垒层的形成方法包括：在形成所述阱层后，向反应室通入三甲基铝和三甲基铟分作为铝源和铟源，并调整三甲基铝和三甲基铟的比例，控制沉积时间，生长预设厚度的垒层。
21、可选的，形成所述阱层的方法包括：在预设温度和腔体压力下，通入磷烷，并以氢气为载气，通入预设比例的三甲基镓和三甲基铟别分作为镓源和铟源，控制沉积时间，生长预设厚度的阱层。
22、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片，包括：
23、外延层，所述外延层为上述任一种所述的外延层；
24、n电极，与所述外延层中的n型半导体层电连接；以及
25、p电极，与所述外延层中的p型半导体层电连接。
26、此种发光芯片，由于设置了本申请中的外延层，也能够提高电子和空穴的复合效率，增加发光强度。
27、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括：
28、驱动背板；以及
29、多颗发光芯片，所述发光芯片设置于所述驱动背板上，所述发光芯片包括n电极、p电极和上述任一种所述的外延层，所述n电极与所述外延层中的n型半导体层电连接，所述p电极与所述外延层中的p型半导体层电连接。
30、此种显示面板中，由于其发光芯片采用了本申请中的外延层，也能够提高电子和空穴的复合效率，增加发光强度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光芯片的外延层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述垒层的材料包含(AlxGa1-x)0.5In0.5P，其中，0.3<x<1。
3.如权利要求2所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述阱层的材料对应包含AlGaInP。
4.如权利要求1所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述垒层的材料包含AlyIn1-yP，其中，0.3<y<1。
5.根据权利要求4所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述阱层的材料对应包含GaInP。
6.一种发光芯片，其特征在于，包括：
7.一种显示面板，其特征在于，包括：
8.一种发光芯片的外延层的生长方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的发光芯片的外延层的生长方法，其特征在于，所述垒层的形成方法包括：
10.根据权利要求8所述的发光芯片的外延层的生长方法，其特征在于，所述垒层的形成方法包括：
【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的外延层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述垒层的材料包含(alxga1-x)0.5in0.5p，其中，0.3<x<1。
3.如权利要求2所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述阱层的材料对应包含algainp。
4.如权利要求1所述的发光芯片的外延层，其特征在于，所述垒层的材料包含alyin1-yp，其中，0.3<y<1。
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙威威，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。