一种晶圆表征样品制备装置制造方法及图纸

技术编号:41249641 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-09 23:58
本技术提出了一种晶圆表征样品制备装置,包括第一基座、标记装置、第二基座和滚轮装置,第一基座上设置工作区域,工作区域用于放置晶圆样品;标记装置设于第一基座上,标记装置可在第一基座上沿第一方向和第二方向移动,以在晶圆样品上进行切割标记,第一方向为所述第一基座的长度方向,第二方向为第一基座的宽度方向;第二基座位于所述晶圆样品下方,并与切割标记对应,滚轮装置位于晶圆样品的上方,沿切割标记滚动进行切割,得到晶圆表征样品。本技术的技术方案可在保证切割精确性的同时,兼容不同尺寸的完整晶圆样品以及不规则的碎片样品,无需对晶圆样品进行尺寸的预处理以及引入定点切割机,减少制备工序和制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造,尤其涉及一种晶圆表征样品制备装置


技术介绍

1、半导体材料的表征测试在现代半导体器件工艺开发及生产过程中起到至关重要的作用,通过对表征材料的物理性质或物理化学性质参数及其变化的检测,分析测量信号获知材料成分、结构等,理解材料的结构-性能-成分的关系是提高器件性能的基础。同时,表征测试技术也大量应用于半导体器件失效定位分析,当前具备非常高的空间分辨率探测半导体材料和器件中的单个缺陷,特别是高分辨率电子显微镜可以提供有关结构缺陷的形貌和成分信息。在半导体材料特别是晶圆的表征测试过程中,样品的制备的好坏决定了结构、成分分析的准确性。例如,对晶圆样品取样测试电子迁移率时,通常选取不同区域截取相同尺寸的正方形样品。对晶圆特定区域样品进行表面或截面的形貌、成分分析时,需要截取一定的尺寸满足扫描电子显微镜载物台要求,同时保证样品观测区域避免污染。

2、目前对晶圆表征测试的样品制备包括:一是手工切割,通常用钢尺叠放在晶圆上面,再用金刚笔沿着尺子划线,最后用手沿线掰开,但手工切割制备的晶圆表征样品不精确。二是采用定点切割机进行切割,如中国专利cn202793872u公开了一种定点切割机的晶圆样品制备模板装置,包括:校准部件,具有至少一直线;定位部件,所述定位部件为条形,所述定位部件与所述校准部件相连接;所述标记包括用于第一方向定位的第一标记、第二标记和用于第二方向定位的第三标记、第四标记,所述第一标记、第二标记、第三标记和第四标记均位于所述定位部件上;用于确定目标位置的样品孔。通过预先利用该制备模板装置制备出合适的晶圆样品,再采用定点切割机进行切割,得到晶圆表征样品。但该技术方案仍存在不足,受限于定点切割机的切割方向,无法精确的沿晶格方向进行切割,需要预先根据定点切割机对晶圆样品进行预处理,使其符合定点切割机的使用尺寸,增加了制备工序的复杂性以及制备成本。


技术实现思路

1、有鉴于此,本技术提出了一种晶圆表征样品制备装置,以解决现有技术中晶圆表征样品制备装置难以兼容不同尺寸的晶圆样品,且增加制备工序复杂性的问题。

2、本技术的技术方案是这样实现的:

3、本技术提供了一种晶圆表征样品制备装置,包括第一基座、标记装置、滚轮装置和第二基座,

4、所述第一基座上设置工作区域,所述工作区域用于放置晶圆样品;

5、所述标记装置设于所述第一基座上,所述标记装置可在第一基座上沿第一方向和第二方向移动,以在所述晶圆样品上进行切割标记,所述第一方向为所述第一基座的长度方向,所述第二方向为所述第一基座的宽度方向;

6、所述第二基座位于所述晶圆样品下,并与所述切割标记对应,

7、所述滚轮装置位于所述晶圆样品的上方,并沿所述切割标记滚动,以切割所述晶圆样品,得到晶圆表征样品。

8、在以上技术方案的基础上,优选的,所述标记装置包括第一轨道和第二轨道,

9、所述第一轨道的两端与第一基座活动连接,且在第一基座上沿第二方向移动;

10、所述第二轨道的两端与第一基座活动连接,且在第一基座上沿第一方向移动;

11、所述第一轨道与第二轨道相交。

12、在以上技术方案的基础上,优选的,还包括第一固定夹和第二固定夹,所述第一固定夹与所述第一轨道滑动连接,所述第二固定夹与所述第一轨道滑动连接。

13、在以上技术方案的基础上,优选的,还包括标记笔,所述标记笔固定于所述第一固定夹和/或第二固定夹。

14、在以上技术方案的基础上,优选的,所述标记笔为金刚笔。

15、在以上技术方案的基础上,优选的,所述第一基座上设置有刻度尺,所述刻度尺沿第一方向和第二方向设置。

16、在以上技术方案的基础上,优选的,所述第二基座为棱柱形,所述第二基座的长度大于所述晶圆样品的最大直径。

17、在以上技术方案的基础上,优选的,所述第二基座截面为等边三角形,所述等边三角形的边长为0.5~1.5mm。

18、在以上技术方案的基础上,优选的,所述滚轮装置包括滚轮部和手持部,

19、所述滚轮部中间设置有定位槽,所述定位槽的宽度小于等于所述第二基座截面的宽度;

20、所述手持部与所述滚轮部两端连接。

21、在以上技术方案的基础上,优选的,还包括热剥离膜,所述热剥离膜设置于所述晶圆样品与第二基座之间,且与所述晶圆样品的表面相贴合。

22、本技术的一种晶圆表征样品制备装置相对于现有技术具有以下有益效果:

23、(1)通过设置在第一基座上设置第一轨道和第二轨道对晶圆样品进行切割标记,采用滚轮装置沿着切割标记对样品进行切割制备晶圆表征样品,可在保证切割精确性的同时,兼容不同尺寸的完整晶圆样品以及不规则的碎片样品,无需对晶圆样品进行尺寸的预处理以及引入定点切割机,减少制备工序和制备成本;

24、(2)在切割过程中通过设置第二基座作为晶圆样品的支点,可有效防止晶圆样品的滑动,避免晶圆材料解开时边缘损伤,影响样品的截面观察;

25、(3)通过在晶圆样品表面设置热剥离膜,可保护晶圆样品表面不受污染,同时也便于晶圆表征样品与膜的分离。

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【技术保护点】

1.一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:包括第一基座(1)、标记装置(2)、第二基座(3)和滚轮装置(4),

2.如权利要求1所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述标记装置(2)包括第一轨道(21)和第二轨道(22),

3.如权利要求2所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:还包括第一固定夹(23)和第二固定夹(24),所述第一固定夹(23)与所述第一轨道(21)滑动连接,所述第二固定夹(24)与所述第一轨道(21)滑动连接。

4.如权利要求3所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:还包括标记笔(25),所述标记笔(25)固定于所述第一固定夹(23)和/或第二固定夹(24)。

5.如权利要求4所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述标记笔(25)为金刚笔。

6.如权利要求1所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述第一基座(1)上设置有刻度尺(11),所述刻度尺(11)沿第一方向和第二方向设置。

7.如权利要求1所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述第二基座(3)为棱柱形,所述第二基座(3)的长度大于所述晶圆样品(5)的最大直径。

8.如权利要求7所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述第二基座(3)截面为等边三角形,所述等边三角形的边长为0.5~1.5mm。

9.如权利要求1所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述滚轮装置(4)包括滚轮部(41)和手持部(42),

10.如权利要求1所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:还包括热剥离膜,所述热剥离膜设置于所述晶圆样品(5)与第二基座(3)之间,且与所述晶圆样品(5)的表面相贴合。

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:包括第一基座(1)、标记装置(2)、第二基座(3)和滚轮装置(4),

2.如权利要求1所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述标记装置(2)包括第一轨道(21)和第二轨道(22),

3.如权利要求2所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:还包括第一固定夹(23)和第二固定夹(24),所述第一固定夹(23)与所述第一轨道(21)滑动连接,所述第二固定夹(24)与所述第一轨道(21)滑动连接。

4.如权利要求3所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:还包括标记笔(25),所述标记笔(25)固定于所述第一固定夹(23)和/或第二固定夹(24)。

5.如权利要求4所述的一种晶圆表征样品制备装置,其特征在于:所述标记笔(25)为金刚笔。

6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡维邱旋孙同享严锐
申请(专利权)人:武汉锐晶激光芯片技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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