【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、在窄线宽半导体激光器脊条的制作过程中，由于中间的发光脊条宽度较小（通常在几微米左右），套刻的需求一般在100nm左右，而常规的光刻设备因为对位精度原因，无法做到精确对准，若有对位偏差就很容易出现漏电现象，导致芯片报废；因此目前主要的工艺手段一个是使用高精度的光刻设备（如stepper、电子束光刻机等）进行套刻作业，另一个是使用热回流的方式进行作业；其中第一个方式，设备价格高，效率低，生产成本较高，第二个方式使用热回流的方式，该方式对套刻的要求比较低，但是对曝光的光强量有较高的要求，工艺失败的可能性较高。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体器件及其制备方法，通过第一钝化层增加高度，提高回流工艺的成功率，以适用于不同脊条高度的半导体器件的热回流工艺。
2、第一方面，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底；
4、于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层；
5、于所述衬底内形成多个脊条，各所述脊条包括部分所述衬底，各所述脊条两侧壁为开设于所述衬底的凹槽；其中，所述第一钝化层位于所述脊条上，所述第一钝化层和所述脊条的总高度大于高度阈值；
6、于所述衬底的表面和各所述第一钝化层的表面分别形成第二钝化层；
7、于所述第二钝化层的表面形成第一光刻胶层；
8、对所述第一光刻胶层进行图形化处理，以
9、采用回流工艺使各所述凹槽内的所述第一光刻胶层沿所述脊条的侧壁回流，以覆盖所述脊条两侧壁的所述第二钝化层。
10、在其中一个实施例中，所述脊条和所述第一钝化层的总高度为1微米-3微米。
11、在其中一个实施例中，所述于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层包括：
12、于所述衬底的表面形成初始钝化层；
13、对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层。
14、在其中一个实施例中，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
15、对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的子钝化层，所述子钝化层的宽度大于所述脊条的宽度；
16、对所述子钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，所述第一钝化层的宽度等于所述脊条的宽度。
17、在其中一个实施例中，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的子钝化层，包括：
18、于所述初始钝化层远离所述衬底的一面形成第二光刻胶层；
19、对所述第二光刻胶层进行图形化处理，并采用反应离子刻蚀工艺对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述子钝化层；
20、去除所述第二光刻胶层。
21、在其中一个实施例中，所述对所述子钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
22、于所述衬底的表面和各所述子钝化层远离所述衬底的一面分别形成第三光刻胶层；
23、对所述第三光刻胶层进行图形化处理，并采用反应离子刻蚀工艺对各所述子钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层。
24、在其中一个实施例中，所述于所述衬底内形成多个脊条，包括：
25、采用电感耦合等离子体工艺对所述衬底进行刻蚀，以于所述衬底内形成多个所述脊条；
26、去除所述第三光刻胶层。
27、在其中一个实施例中，在采用回流工艺使各所述凹槽内的所述第一光刻胶层沿所述脊条的侧壁回流，以覆盖所述脊条两侧壁的第二钝化层之后，所述方法还包括：
28、去除所述第一钝化层以及所述第一钝化层远离所述脊条一面的所述第二钝化层；
29、去除所述第一光刻胶层。
30、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的材料为硅氮化物、硅氧化物或铬金属。
31、另一方面，本申请提供了一种半导体器件，包括：
32、衬底，包括多个间隔排布的脊条和开设于各所述脊条两侧壁的凹槽；
33、多个第一钝化层，各所述第一钝化层分别对应位于各所述脊条上；其中，所述脊条和所述第一钝化层的总高度大于高度阈值；
34、第二钝化层，位于所述衬底的表面和各所述第一钝化层的表面；
35、第一光刻胶层，位于所述第二钝化层远离所述衬底的表面；其中，覆盖于各所述脊条两侧壁的所述第二钝化层表面的第一光刻胶层是采用回流工艺形成的。
36、上述半导体器件及其制备方法，提供衬底，并于衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层，再于衬底内形成多个脊条，然后于衬底的表面和各第一钝化层的表面分别形成第二钝化层，且于第二钝化层的表面形成第一光刻胶层，再对第一光刻胶层进行图形化处理，以露出第二钝化层远离脊条上的第一钝化层和第二钝化层，从而采用回流工艺使各凹槽内的第一光刻胶层沿脊条的侧壁回流，以覆盖脊条两侧壁的第二钝化层，由于脊条和第一钝化层的总高度大于高度阈值，也即第一钝化层的表面与两侧壁凹槽的槽底之间的高度差大于高度阈值，使得脊条两侧壁凹槽内能够容纳足够的光刻胶，保证凹槽内的光刻胶能够实现回流以覆盖脊条两侧壁的第二钝化层，实现第一光刻胶层对脊条两侧壁的第二钝化层的保护，避免后续制备脊条钝化层窗口过程将脊条两侧壁第二钝化层刻蚀的问题，以保留脊条两侧壁的第二钝化层从而达到绝缘的目的，该方法可以通过调节第一钝化层的高度，保证脊条和第一钝化层的总高度大于高度阈值，即可保证回流工艺的成功率，适用于不同脊条高度的半导体器件的回流工艺。
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述脊条和所述第一钝化层的总高度为1微米-3微米。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的子钝化层，包括：
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述子钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底内形成多个脊条，包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在采用回流工艺使各所述凹槽内的所述第一光刻胶层
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的材料为硅氮化物、硅氧化物或铬金属。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述脊条和所述第一钝化层的总高度为1微米-3微米。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的子钝化层，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：段会强，王虎，高文丽，郭可满，陈洲峰，
申请(专利权)人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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