【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、在窄线宽半导体激光器脊条的制作过程中，由于中间的发光脊条宽度较小（通常在几微米左右），套刻的需求一般在100nm左右，而常规的光刻设备因为对位精度原因，无法做到精确对准，若有对位偏差就很容易出现漏电现象，导致芯片报废；因此目前主要的工艺手段一个是使用高精度的光刻设备（如stepper、电子束光刻机等）进行套刻作业，另一个是使用热回流的方式进行作业；其中第一个方式，设备价格高，效率低，生产成本较高，第二个方式使用热回流的方式，该方式对套刻的要求比较低，但是对曝光的光强量有较高的要求，工艺失败的可能性较高。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体器件及其制备方法，通过第一钝化层增加高度，提高回流工艺的成功率，以适用于不同脊条高度的半导体器件的热回流工艺。
2、第一方面，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底；
4、于所述衬底的表面形成多个间隔排
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述脊条和所述第一钝化层的总高度为1微米-3微米。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述脊条和所述第一钝化层的总高度为1微米-3微米。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的所述第一钝化层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述初始钝化层进行刻蚀，以于所述衬底的表面形成多个间隔排布的子钝化层，包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：段会强，王虎，高文丽，郭可满，陈洲峰，
申请(专利权)人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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