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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。方法包括:提供衬底;于衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层;于衬底内形成多个脊条,各脊条包括部分衬底,各脊条两侧壁为开设于衬底的凹槽;其中,第一钝化层位于脊条上,第一钝化层和脊条的总高度大于高度阈值;...该专利属于武汉锐晶激光芯片技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉锐晶激光芯片技术有限公司授权不得商用。
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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。方法包括:提供衬底;于衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层;于衬底内形成多个脊条,各脊条包括部分衬底,各脊条两侧壁为开设于衬底的凹槽;其中,第一钝化层位于脊条上,第一钝化层和脊条的总高度大于高度阈值;...