【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体制备工艺，具体涉及一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管。
技术介绍
1、现有的沟槽肖特基二极管制备工艺，直接在晶圆上生长一层氧化层后就在晶圆中刻蚀沟槽，从现有技术工艺流程可以看出，由于无侧墙工艺，沟槽的宽度直接由光刻能力决定，无法继续缩小沟槽的宽度导致无法提高沟槽肖特基二极管性能。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管，本申请实施例可以提高晶圆产品的良率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，包括：
3、对晶圆上表面从下到上依次设置的第一氧化层和氮化硅层进行光刻，以在晶圆上表面形成多个间隔设置第一沟槽，随后去除光刻胶；
4、在所述晶圆上表面沉积第二氧化层，所述第二氧化层设置在第一沟槽中和氮化硅层上表面；
5、对所述第二氧化层进行刻蚀直到去除氮化硅层上表面第二氧化层并保留第一沟槽侧壁的第二氧化层；
6、对所述晶圆进行光刻以便在所述晶圆中与所述第一沟槽对应位置元胞区形成第二沟槽和保护环区形成第三沟槽，所述第三沟槽宽度大于第二沟槽宽度；
7、在所述第二沟槽和第三沟槽侧壁上形成第三氧化层；
8、刻蚀去除氮化硅层，随后刻蚀去除第一氧化层和第三氧化层；
9、在所述第二沟槽和第三沟槽中生长第四氧化层；
10、在所述第二沟槽和第三沟槽中沉积多晶硅，对所述多晶硅进行刻蚀
11、在所述晶圆上表面沉积介质层；
12、对所述介质层进行光刻以便去除元胞区全部介质层和保留保护环区介质层，随后去除光刻胶；
13、对元胞区的晶圆上表面沉积第一金属层以形成肖特基势垒；
14、在整个所述晶圆上表面沉积第二金属层，并在所述第二金属层与所述第二沟槽和第三沟槽对应的位置刻蚀接触孔。
15、作为本申请一优选实施例，所述第一氧化层的厚度为1000a～3500a，所述氮化硅层的厚度为1000a～4000a。
16、作为本申请一优选实施例，在500℃～870℃温度下采用化学气相法沉积一层1000a～3000a厚度的第二氧化层。
17、作为本申请一优选实施例，所述多晶硅侧墙的宽度为5000a～9000a。
18、作为本申请一优选实施例，所述氮化硅层采用湿法刻蚀。
19、与现有技术相比，本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化层和氮化层作为硬掩膜层，同时利用化学气相沉积的特性在硬掩膜层上沉积一层第二氧化层并回刻后，将第一沟槽硬掩膜层的窗口缩小，再进行第二沟槽和第三沟槽刻蚀，经过栅氧化层生长，第二多晶硅淀积回刻，提高了晶圆产品的良率。
20、第二方面，本申请实施例还提供了一种沟槽肖特基二极管，采用第一方面任一项所述的制备方法进行制备。
21、与现有技术相比，本申请第二方面提供的技术方案的有益效果与第一方面提供的技术方案的有益效果相同，在此不再赘述。
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1.一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1000A～3500A，所述氮化硅层的厚度为1000A～4000A。
3.如权利要求1所述的一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，在500℃～870℃温度下采用化学气相法沉积一层1000A～3000A厚度的第二氧化层。
4.如权利要求1所述的一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述多晶硅侧墙宽度为5000A～9000A。
5.如权利要求1所述的一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述氮化硅层采用湿法刻蚀。
6.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，通过权利要求1至5所述的任一项的制备方法进行制备。
【技术特征摘要】
1.一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1000a～3500a，所述氮化硅层的厚度为1000a～4000a。
3.如权利要求1所述的一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，在500℃～870℃温度下采用化学气相法沉积一层1000a...
【专利技术属性】
技术研发人员：乐双申，何增谊，陈兆萍，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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