一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图制造技术

本申请实施例提供了一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，本申请通过优化源极多晶硅引出区，在源极多晶硅引出区的第一沟槽之间增加源极接触孔，达到优化器件的单脉冲雪崩能量性能的目的。

【技术实现步骤摘要】

本申请各实施例属半导体，尤其涉及一种新型中高压屏蔽栅极功率mosfet版图。

技术介绍

1、屏蔽栅极功率mosfet版图设计中需要将源多晶硅极、栅极、源极分别接出，并且将源多晶硅极与栅极隔离，但在现有技术中，如图1所示，源极多晶硅引出区仅仅是通过在源极多晶硅上设置源极接触孔，所以单脉冲雪崩能量(简称：eas)性能会比较差。

技术实现思路

1、为了解决或缓解现有技术中的问题。因此提出了一种新型中高压屏蔽栅极功率mosfet版图，包括：元胞区和终端环区；

2、所述元胞区包括多个间隔设置的第一沟槽、源极多晶硅引出区、栅极引出区和源极引出区；

3、在所述源极多晶硅引出区的多个第一沟槽之间均设置有第一源极接触孔，在所述源极引出区的每个第一沟槽中均设置有第一源极多晶硅接触孔；

4、在所述栅极引出区的每个第一沟槽中均设置有栅极接触孔；

5、在所述源极引出区的多个第一沟槽之间均设置有第二源极接触孔；

6、所述第一源极接触孔和第一源极多晶硅接触孔中均填充有金属，且均通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，其特征在于，包括：元胞区和终端环区；

2.如权利要求1所述的一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，其特征在于，所述源极多晶硅引出区的第一沟槽中填充有源极多晶硅；所述栅极引出区和源极引出区的每个第一沟槽中从下到上填充有源极多晶硅和栅极多晶硅，且所述栅极引出区和源极引出区同一个第一沟槽中的源极多晶硅和栅极多晶硅通过介质层隔开。

3.如权利要求1所述的一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，其特征在于，同一个所述第一沟槽中设置有第一源极多晶硅接触孔和栅极接触孔。

4.如权利要求1所述的一种新型中高压屏...

【技术特征摘要】

1.一种新型中高压屏蔽栅极功率mosfet版图，其特征在于，包括：元胞区和终端环区；

2.如权利要求1所述的一种新型中高压屏蔽栅极功率mosfet版图，其特征在于，所述源极多晶硅引出区的第一沟槽中填充有源极多晶硅；所述栅极引出区和源极引出区的每个第一沟槽中从下到上填充有源极多晶硅和栅极多晶硅，且所述栅极引出区和源极引出区同一个第一沟槽中的源极多晶硅和栅极多晶硅通过介质层隔开。

【专利技术属性】
技术研发人员：薛华瑞，阮孟波，董建新，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：

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