一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管技术

本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅层和第一多晶硅层作为硬掩膜层，同时利用化学气相沉积的特性在硬掩膜层上沉积一层第二氧化层并回刻后，将第一沟槽硬掩膜层的窗口缩小，再进行第二沟槽和第三沟槽刻蚀，并利用在刻蚀第二沟槽和第三沟槽同时将第一多晶硅一起刻蚀去除，经过栅氧化层生长，第二多晶硅淀积回刻；在介质层底部增加一层氮化硅作为湿法刻蚀的隔离层，解决了介质层片内均匀性差的问题，提高了后续接触孔刻蚀的片内均匀性，降低了反向漏电发生的概率，提高了晶圆产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体制备工艺，具体涉及一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管。

技术介绍

1、现有的沟槽肖特基二极管制备工艺，在介质层和晶圆表面无任何结构设置，所以在刻蚀接触孔时，直接通过湿法刻蚀在介质层中刻蚀接触孔，介质层中的接触孔与晶圆中的沟槽位置对应，通过现有技术中的工艺使晶圆表面的均匀性较差，所以导致后续在介质层中的接触孔刻蚀的片内均匀也较差性，提高了降低了反向漏电发生的概率，降低了晶圆产品的良率。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管，本申请实施例可以使介质层内均匀性较好，进而提高了后续接触孔刻蚀的均匀性，降低了反向漏电发生的概率，提高了晶圆产品的良率。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，包括：

3、对晶圆上表面从下到上依次设置的第一氧化层和第一多晶硅层进行光刻，以在晶圆上表面形成多个间隔设置第一沟槽，随后去除光刻胶；

4、在所述晶圆上表面沉积第二氧化层，所述第二氧化层设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1000A～3500A，所述第一多晶硅的厚度为2000A～5000A。

3.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用化学气相法沉积第二氧化层。

4.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第二沟槽深度小于第三沟槽深度。

5.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，进行光刻后的所述第二多晶硅上表面的高出晶圆上表面为1000A～3000A。...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1000a～3500a，所述第一多晶硅的厚度为2000a～5000a。

3.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用化学气相法沉积第二氧化层。

4.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第二沟槽深度小于第三沟槽深度。

5.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，进行光刻后的所述第二多晶硅上表面的高出晶圆上表面为1000a～3000...

【专利技术属性】
技术研发人员：乐双申，何增谊，陈兆萍，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：