【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体制备工艺，具体涉及一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管。
技术介绍
1、现有的沟槽肖特基二极管制备工艺，在介质层和晶圆表面无任何结构设置，所以在刻蚀接触孔时，直接通过湿法刻蚀在介质层中刻蚀接触孔，介质层中的接触孔与晶圆中的沟槽位置对应，通过现有技术中的工艺使晶圆表面的均匀性较差，所以导致后续在介质层中的接触孔刻蚀的片内均匀也较差性，提高了降低了反向漏电发生的概率，降低了晶圆产品的良率。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管，本申请实施例可以使介质层内均匀性较好，进而提高了后续接触孔刻蚀的均匀性，降低了反向漏电发生的概率，提高了晶圆产品的良率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，包括：
3、对晶圆上表面从下到上依次设置的第一氧化层和第一多晶硅层进行光刻，以在晶圆上表面形成多个间隔设置第一沟槽，随后去除光刻胶；
4、在所述晶圆上表面沉积第二氧化层，所述第二氧化层设置在第一沟槽中和第一多晶硅上表面；
5、对所述第二氧化层进行刻蚀直到去除第一多晶硅上表面第二氧化层并保留第一沟槽侧壁的第二氧化层；
6、对所述晶圆进行光刻以便在所述晶圆中与所述第一沟槽对应位置元胞区形成第二沟槽和保护环区形成第三沟槽；
7、在所述第二沟槽侧壁上形成第三氧化层，并去除第三氧化层，随后生长第四氧化层；
8、在所述第二沟
9、在所述晶圆上表面从下到上依次沉积隔离层和介质层；
10、对所述介质层进行光刻以便去除隔离层上表面元胞区全部和保护环区的第二沟槽上表面的部分介质层，随后去除光刻胶；
11、依次对无介质层的晶圆上表面隔离层和第一氧化层进行刻蚀；
12、对无所述第一氧化层和隔离层的所述晶圆上表面沉积第一金属层以形成肖特基势垒；
13、在整个所述晶圆上表面沉积第二金属层，并在所述第二金属层与所述第二沟槽和第三沟槽对应的位置刻蚀接触孔。
14、作为本申请一优选实施例，所述第一氧化层的厚度为1000a～3500a，所述第一多晶硅的厚度为2000a～5000a。
15、作为本申请一优选实施例，采用化学气相法沉积第二氧化层。
16、作为本申请一优选实施例，所述第二沟槽深度小于第三沟槽深度。
17、作为本申请一优选实施例，进行光刻后的所述第二多晶硅上表面的高出晶圆上表面为1000a～3000a。
18、作为本申请一优选实施例，采用采用化学气相沉积隔离层，所述隔离层的厚度为100a～500a。
19、作为本申请一优选实施例，所述隔离层为sin。
20、作为本申请一优选实施例，所述介质层和隔离层均采用湿法刻蚀。
21、作为本申请一优选实施例，对无介质层的晶圆上表面第一氧化层和隔离层采用干法刻蚀。
22、与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅层和第一多晶硅层作为硬掩膜层，同时利用化学气相沉积的特性在硬掩膜层上沉积一层第二氧化层并回刻后，将第一沟槽硬掩膜层的窗口缩小，再进行第二沟槽和第三沟槽刻蚀，并利用在刻蚀第二沟槽和第三沟槽同时将第一多晶硅一起刻蚀去除，经过栅氧化层生长，第二多晶硅淀积回刻；在介质层底部增加一层氮化层作为湿法刻蚀的隔离层，解决了介质层片内均匀性差的问题，提高了后续接触孔刻蚀的片内均匀性，降低了反向漏电发生的概率，提高了晶圆产品的良率。
23、第二方面，本申请实施例还提供了一种沟槽肖特基二极管，采用第一方面任一项所述的制备方法进行制备。
24、与现有技术相比，本申请第二方面提供的技术方案的有益效果与第一方面提供的技术方案的有益效果相同，在此不再赘述。
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1.一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1000A～3500A，所述第一多晶硅的厚度为2000A～5000A。
3.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用化学气相法沉积第二氧化层。
4.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第二沟槽深度小于第三沟槽深度。
5.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，进行光刻后的所述第二多晶硅上表面的高出晶圆上表面为1000A～3000A。
6.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积隔离层，所述隔离层的厚度为100A～500A。
7.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述隔离层为SiN。
8.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述介质层和隔离层均采用湿法刻蚀。
9.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基
10.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的制备方法进行制备。
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1000a～3500a，所述第一多晶硅的厚度为2000a～5000a。
3.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用化学气相法沉积第二氧化层。
4.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述第二沟槽深度小于第三沟槽深度。
5.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，进行光刻后的所述第二多晶硅上表面的高出晶圆上表面为1000a～3000...
【专利技术属性】
技术研发人员：乐双申，何增谊，陈兆萍，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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