半导体装置、半导体装置的驱动装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：41211331 阅读：3 留言：0更新日期：2024-05-09 23:34

一种半导体装置，具有：半导体元件、第一导线、第二导线以及金属部。所述半导体元件具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面和元件背面、以及配置于所述元件主面的电极。所述第一导线含有第一金属。所述第二导线含有热电动势与所述第一金属不同的第二金属。所述金属部含有第三金属，并配置成传递来自所述半导体元件的热。在所述金属部接合有所述第一导线以及所述第二导线。所述第一导线和所述第二导线中的至少一方与所述金属部直接接合。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置、半导体装置的驱动装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、在半导体装置中存在配置有温度传感器的半导体装置，该温度传感器用于检测半导体元件的温度。在专利文献1中公开了在晶体管的焊盘附近的功率晶体管形成区内形成温度检测元件。然而，当是无法增大芯片面积的半导体元件时，难以在元件内部形成温度传感器。另一方面，在专利文献2中，公开了以与半导体元件附近的绝缘层接触的方式配置温度检测元件的半导体装置。然而，此时根据经由搭载有半导体元件的搭载层以及绝缘层传递的热来检测温度，因此，要检测的半导体元件的温度精度降低。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019-212930号公报

5、专利文献2：日本特开2021-86933号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本公开是根据上述情况而想出的，其课题之一在于提供一种半导体装置，无需在半导体元件内部形成温度传感器就能够提高要检测的半导体元件的温度精度。

3、用于解决课题的手段

4、由本公开的第一方面提供的半导体装置，具有：半导体元件，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面和元件背面、以及配置于所述元件主面的电极；第一导线，其含有第一金属；第二导线，其含有热电动势与所述第一金属不同的第二金属；以及金属部，其含有第三金属，所述金属部配置成传递来自所述半导体元件的热、且接合了所述第一导线及所述第二导线，所述第一导线

5、由本公开的第二方面提供的半导体装置的驱动装置，用于驱动由本公开的第一方面提供的半导体装置，其具有：第一端子，其与所述第一导线导通连接；

6、第二端子，其与所述第二导线导通连接；相对温度检测部，其根据所述第一端子与所述第二端子之间的电压来检测相对温度；基准接点补偿部，其检测所述第一端子及所述第二端子的基准温度，并根据所述基准温度及所述相对温度来计算绝对温度；以及过热保护部，其根据所述绝对温度来检知所述半导体元件的过热异常。

7、由本公开的第三方面提供的半导体装置的制造方法，具有以下工序：将含有第一金属的第一导线与含有第三金属的金属部接合，其中，所述金属部配置成传递来自半导体元件的热；以及将含有第二金属的第二导线与所述金属部接合，其中，所述第二金属的热电动势与所述第一金属不同。

8、专利技术效果

9、本公开的半导体装置无需在半导体元件内部形成温度传感器就能够提高要检测的半导体元件的温度精度。

10、通过以下参照附图进行的详细说明，本公开的其他特征和优点将变得更加明确。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.一种驱动装置，用于驱动权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，

14.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】