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本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅层和第一多晶硅层作为硬掩膜层，同时利用化学气相沉积的特性在硬掩膜层上沉积一层第二氧化层并回刻后，将第一沟槽硬掩膜层的窗口缩小，再进行第二沟槽和第三沟槽刻蚀，并利用在刻蚀第二沟槽和...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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