【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物。
技术介绍
1、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(tsv：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
2、薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况，容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸。例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的与平面方向交叉的方向即纵向具有低应力(弱粘接力)。此外，有时在加工工序中成为150℃以上的高温，进而也要求耐热性。
3、在这样的情况下，在半导体领域中，主要使用能具备这些性能的聚硅氧烷系粘接剂作为临时粘接剂。并且，在使用了聚硅氧烷系粘接剂的聚硅氧烷系粘接中，在将经薄化的基板剥离后，经常在基板表面残存粘接剂残留物，为了避免之后工序中的不良状况，对用于去除该残留物，进行半导体基板表面的清洗的清洗
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：国际公开第2014/092022号
7、专利文献2：美国专利第6818608号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、就上述专利文献1和2中记载的清洗剂组合物而言，已知：欲通过将基板表面上的粘接剂残留物溶解来将粘接剂残留物从基板表面上去除，但若如此欲通过溶解来将粘接剂残留物从基材表面上去除，则去除需要长时间。
3、再者，本专利技术人等对清洗剂组合物进行了研究，结果发现，当使用含有特定的成分的组合物时，能使粘接层膨润而将粘接层从基板剥离。当使用该含有特定的成分的组合物时，能以短时间将粘接层从基板去除。
4、不过，从以简便的操作、更短时间且更干净地将粘接剂残留物从基板表面上去除的观点考虑，存在改良的余地，要求更有效的清洗方法，推进新的清洗方法、用于该清洗方法的组合物的开发。
5、本专利技术是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，提供一种半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法例如能以简便的操作、更短时间且更干净地将使用硅氧烷系粘接剂得到的粘接层从在表面具有该粘接层的半导体基板上去除(清洗)。
6、用于解决问题的方案
7、本专利技术人等为了解决上述技术问题而进行了深入研究，结果发现，通过如下方式能解决上述技术问题，从而完成了本专利技术，即，使用含有特定的成分的组合物对半导体基板上的粘接层，特别是作为由包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(a’)的硅氧烷系粘接剂得到的固化膜的粘接层进行清洗，由此对粘接层通过一个清洗操作一起进行使其膨润而剥离和溶解，将粘接层从半导体基板去除。
8、即，本专利技术包含以下的方案。
9、[1]一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[i]成分：季铵盐；[ii]成分：酰胺系溶剂；以及[iii]成分：下述式(l)所示的溶剂。
10、
11、(式中，l表示取代于苯环的取代基，各自独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示l的数量，为0～5的整数。)
12、[2]根据[1]所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述l为甲基或异丙基。
13、[3]根据[2]所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述式(l)所示的溶剂为至少选自甲苯、均三甲苯、对异丙基甲苯以及1，2，4－三甲基苯中的一种。
14、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述季铵盐为含卤素的季铵盐。
15、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述酰胺系溶剂为下述式(z)所示的酰胺衍生物或下述式(y)所示的化合物。
16、
17、(式中，r0表示乙基、丙基或异丙基，ra和rb各自独立地表示碳原子数1～4的烷基。)
18、
19、(式中，r101表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，r102表示碳原子数1～6的亚烷基或下述式(y1)所示的基团。)
20、
21、(式中，r103表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，r104表示碳原子数1～5的亚烷基，*1表示与式(y)中的碳原子键合的键合键，*2表示与式(y)中的氮原子键合的键合键。)
22、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接层为使用包含粘接剂成分(s)的粘接剂组合物得到的膜，所述粘接剂成分(s)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。
23、[7]根据[6]所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接剂成分(s)包含硅氧烷系粘接剂。
24、[8]根据[7]所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(a’)。
25、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述剥离和溶解的工序包括：将剥离后的粘接层去除的工序。
26、[10]一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，将半导体基板和粘接层从支承基板分离；以及第四工序，使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解而去除，其中，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[i]成分：季铵盐；[ii]成分：酰胺系溶剂；以及[iii]成分：下述式(l)所示的溶剂。
27、
28、(式中，l表示取代于苯环的取代基，各自独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示l的数量，为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，
2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
10.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
12.根据权利要求11所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
13.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
14.根据权利要求10所述的经加工的
15.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
16.根据权利要求15所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
17.根据权利要求16所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
18.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
19.一种剥离和溶解用组合物，其特征在于，在对半导体基板进行清洗时，用于将所述半导体基板上的粘接层剥离和溶解而去除，
20.根据权利要求19所述的剥离和溶解用组合物，其中，
21.根据权利要求20所述的剥离和溶解用组合物，其中，
22.根据权利要求19所述的剥离和溶解用组合物，其中，
23.根据权利要求19所述的剥离和溶解用组合物，其中，
24.根据权利要求19所述的剥离和溶解用组合物，其中，
25.根据权利要求24所述的剥离和溶解用组合物，其中，
26.根据权利要求25所述的剥离和溶解用组合物，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，
2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，
10.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
12.根据权利要求11所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
13.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，
14.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳生雅文，奥野贵久，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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