半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物技术

提供一种半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能以简便的操作、更短时间且更干净地将粘接层从在表面具有该粘接层的半导体基板上去除(清洗)。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[I]成分：季铵盐；[II]成分：酰胺系溶剂；以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L表示取代于苯环的取代基，各自独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物。

技术介绍

1、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(tsv：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

2、薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况，容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸。例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的与平面方向交叉的方向即纵向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，

2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，</p>

9.根据...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，

2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，

10.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，

12.根据权利要求11所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，

13.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，

14.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳生雅文，奥野贵久，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：