一种功率MOSFET双芯片封装结构制造技术

本申请实施例提供了一种功率MOSFET双芯片封装结构，在所述第二金属框架上与所述第二芯片的正面对应的位置间隔设置有两个凸起，通过两个所述凸起防止在所述第二芯片的正面与第二金属框架之间的间隙中填充塑封体，解决了现有技术中因为塑封体的热膨胀系数较大，所以倒装芯片因为受到应力而导致失效的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请各实施例属半导体，尤其涉及一种功率mosfet双芯片封装结构。

技术介绍

1、功率mosfet在buck电路应用中，有种需要双芯片封装体，因为芯片面积不一样且在封装体中有正装和倒装两种形式，如果芯片面积大且倒装，因为塑封体的热膨胀系数较大，所以倒装芯片容易因为受到应力挤压而导致失效。

技术实现思路

1、为了解决或缓解现有技术中的问题，因此提出一种功率mosfet双芯片封装结构，包括：间隔设置的第一金属框架和第二金属框架；

2、所述第一金属框架上设置有第一芯片，所述第二金属框架上设置有第二芯片，所述第一芯片包括正面和背面，所述第二芯片包括正面和背面；

3、在所述第一芯片、第二芯片、第一金属框架和第二金属框架的外围设置有塑封体；

4、所述第一芯片的正面和第二芯片的背面通过金属层连接；

5、所述第一芯片的背面通过第一连接层与第一金属框架连接，所述第二芯片的正面通过第二连接层与第二金属框架连接；

6、在所述第二金属框架上与所述第二芯片的正面对应的位置间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率MOSFET双芯片封装结构，其特征在于，包括：间隔设置的第一金属框架和第二金属框架；

2.如权利要求1所述的一种功率MOSFET双芯片封装结构，其特征在于，两个所述凸起设置在所述第二金属框架上与所述第二芯片正面最外侧对应位置。

3.如权利要求1所述的一种功率MOSFET双芯片封装结构，其特征在于，两个所述凸起为圆柱状结构。

4.如权利要求1所述的一种功率MOSFET双芯片封装结构，其特征在于，两个所述凸起的顶部为圆弧状结构。

5.如权利要求1所述的一种功率MOSFET双芯片封装结构，其特征在于，所述第一连接层和第二连接层为焊锡层...

【技术特征摘要】

1.一种功率mosfet双芯片封装结构，其特征在于，包括：间隔设置的第一金属框架和第二金属框架；

2.如权利要求1所述的一种功率mosfet双芯片封装结构，其特征在于，两个所述凸起设置在所述第二金属框架上与所述第二芯片正面最外侧对应位置。

3.如权利要求1所述的一种功率mosfet双芯片封装结构，其特征在于，两个所述凸起为圆柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：党晓军，董建新，衷世雄，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：