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本申请实施例提供了一种功率MOSFET双芯片封装结构，在所述第二金属框架上与所述第二芯片的正面对应的位置间隔设置有两个凸起，通过两个所述凸起防止在所述第二芯片的正面与第二金属框架之间的间隙中填充塑封体，解决了现有技术中因为塑封体的热膨胀系数...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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