【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种面射型激光装置及其制造方法，特别是涉及一种垂直共振腔面射型激光装置及其制造方法。
技术介绍
1、现有的垂直共腔面射型激光至少包括p-型电极、n-型电极、用以产生光子的活性层以及分别位于活性层两侧的上布拉格反射镜(distributed bragg reflector,dbr)与下布拉格反射镜。通过对p-型电极以及n-型电极施加偏压，以对活性层注入电流来激发光子，并利用上、下两个布拉格反射镜(distributed bragg reflector,dbr)来形成垂直共振腔，可产生由元件表面(即垂直活性层方向)出射的激光光束。
2、在现有的垂直共腔面射型激光中，通常会利用离子布植或是湿氧化制程，以在上布拉格反射镜中形成具有高阻值的氧化层或是离子布植区，以局限电流通过的区域。然而，利用离子布植或是热氧化制程来形成局限电流的氧化层或离子布植区，成本较高且孔径尺寸不易控制。
3、此外，氧化层与构成上布拉格反射镜的半导体材料之间的晶格失配度以及热膨胀系数差异较大，而使垂直共腔面射型激光在进行退火后较容易因内应力而破裂，降低制程良率。元件的内应力也会降低元件寿命、影响出光特性及降低可靠性。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种面射型激光装置及其制造方法，以减少面射型激光装置的内应力，并提升面射型激光装置的可靠性(reliability)。
2、为了解决上述的技术问题，本申请所采用的其中一技术方案是提供一种面射
3、为了解决上述的技术问题，本申请所采用的其中一技术方案是提供一种面射型激光装置，其包括第一反射镜层、主动发光层、第二反射镜层以及电流局限层。主动发光层位于第一反射镜层与第二反射镜层之间，以产生一激光光束。电流局限层位于第一反射镜层内或第二反射镜层内，并至少包括一经掺杂半导体层。当电流局限层位于第一反射镜层内时，经掺杂半导体层与第一反射镜层具有相反的导电型。当电流局限层位于第二反射镜层内时，经掺杂半导体层与第二反射镜层具有相反的导电型。
4、为了解决上述的技术问题，本申请所采用的另外一技术方案是提供一种面射型激光装置的制造方法，其包括：形成第一反射镜层；形成主动发光层于第一反射镜层上；形成电流局限层，其中，电流局限层定义出一局限孔，且构成电流局限层的材料为本质半导体或经掺杂的半导体；以及形成一第二反射镜层。
5、本申请的其中一有益效果在于，面射型激光装置及其制造方法，其能通过“电流局限层为半导体层，电流局限层的能隙宽度大于主动发光层之能隙宽度”的技术方案，以减少面射型激光装置的内应力，而使面射型激光装置具有较佳可靠性(reliability)。
6、为使能更进一步了解本申请的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本申请的详细说明与图式，然而所提供的图式仅用于提供参考与说明，并非用来对本申请加以限制。
【技术保护点】
1.一种面射型激光装置，其特征在于，所述面射型激光装置包括：
2.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层位于所述第二反射镜层内，且构成所述第二反射镜层的材料与所述本质半导体之间的晶格失配度小于0.1％。
3.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层的厚度至少为30nm。
4.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，构成所述电流局限层的材料为氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、磷化铟铝(AlInP)磷化铟镓(InGaP)、磷化铝镓(AlGaP)、砷化铝镓(AlGaAs)或砷化铝(AlAs)。
5.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述主动发光层包括交替堆迭的多个阱层以及多个阻障层，所述阱层的能隙宽度小于所述电流局限层的能隙宽度。
6.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述面射型激光装置还进一步包括：一电流注入层，其中，所述电流注入层的一部分填入所述电流局限层的一局限孔内，且所述第二反射镜层位于所述电流入层
7.如权利要求6所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层位于所述电流注入层内，且所述电流局限层为本质半导体层或者具有与所述电流注入层相反的导电型。
8.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层位于所述第二反射镜层内，且未连接所述主动发光层，所述电流局限层为本质半导体层或具有与所述第二反射镜层相反的导电型。
9.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层位于所述第一反射镜层内，且未连接所述主动发光层，所述电流局限层为本质半导体层或具有与所述第一反射镜层相反的导电型。
10.一种面射型激光装置，其特征在于，所述面射型激光装置包括：
11.一种面射型激光装置的制造方法，其特征在于，所述面射型激光装置的制造方法包括：
12.如权利要求11所述的面射型激光装置的制造方法，其特征在于，形成所述电流局限层的步骤包括：
13.如权利要求11所述的面射型激光装置的制造方法，其特征在于，还进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种面射型激光装置，其特征在于，所述面射型激光装置包括：
2.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层位于所述第二反射镜层内，且构成所述第二反射镜层的材料与所述本质半导体之间的晶格失配度小于0.1％。
3.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述电流局限层的厚度至少为30nm。
4.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，构成所述电流局限层的材料为氮化铝镓(algan)、氮化铟镓(ingan)、氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、磷化铟铝(alinp)磷化铟镓(ingap)、磷化铝镓(algap)、砷化铝镓(algaas)或砷化铝(alas)。
5.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述主动发光层包括交替堆迭的多个阱层以及多个阻障层，所述阱层的能隙宽度小于所述电流局限层的能隙宽度。
6.如权利要求1所述的面射型激光装置，其特征在于，所述面射型激光装置还进一步包括：一电流注入层，其中，所述电流注入层的一部分填入所述电流局限层的一局限孔内，且...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖力弘，赖利温，
申请(专利权)人：华立捷科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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