外延片、发光芯片和显示面板制造技术

本申请涉及一种外延片，包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、电子阻挡层和P型半导体层，N型半导体层和P型半导体层共同作用，以驱动N型半导体层内的电子、和P型半导体层内的空穴分别传输至发光层内复合发光；电子阻挡层包括层叠设置的第一势垒层和第二势垒层，第一势垒层位于第二势垒层与P型半导体层之间，且第一势垒层的有效势垒高度大于第二势垒层的有效势垒高度，第一势垒层与第二势垒层配合以阻挡发光层内的电子逃逸至P型半导体层内。本申请外延片能够提高电子阻挡层阻挡电子的效率，并提高外延片的发光效率和发光亮度。本申请还提供一种发光芯片和显示面板。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片制造，具体涉及一种外延片、以及具有该外延片的发光芯片、以及具有该发光芯片的显示面板。

技术介绍

1、发光芯片一般通过外延片中的n型半导体层提供电子、p型半导体层提供空穴，并使电子和空穴传输至发光层内复合发光。为了避免部分电子逃逸至p型半导体层中而降低发光芯片的发光效率，通常在发光层与p型半导体层中设置电子阻挡层以阻止电子逃逸。

2、电子阻挡层通常是p型algan结构，该结构的电子阻挡层在大功率、或者高电流密度下，对电子的阻挡效果不佳。为了提高电子阻挡层对电子的阻挡效果，一般通过增加电子阻挡层的厚度以实现，而这将造成外延片总体势垒的增高，增大驱动发光芯片发光的功耗。且由于总体势垒增加，将导致空穴从p型半导体层传输到发光层中的效率降低，并降低了发光芯片的发光效率和发光亮度，进而降低显示面板的画面显示效果。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种通过针对性优化电子阻挡层以提高电子阻挡层阻挡电子的效率，进而提高发光效率和发光亮度的外延片，以及具有该外延片的发光芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种外延片，其特征在于，包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层和所述P型半导体层共同作用，以驱动所述N型半导体层内的电子、和所述P型半导体层内的空穴分别传输至所述发光层内复合发光；

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一势垒层的材质为AlN，且所述第一势垒层的厚度为0.5～3nm。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二势垒层的材质为P型AlGaN，所述第二势垒层中Al的组分为2％～10％。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述电子阻挡层还包括势阱层，所述势阱层连接...

【技术特征摘要】

1.一种外延片，其特征在于，包括依次层叠设置的n型半导体层、发光层、电子阻挡层和p型半导体层，所述n型半导体层和所述p型半导体层共同作用，以驱动所述n型半导体层内的电子、和所述p型半导体层内的空穴分别传输至所述发光层内复合发光；

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一势垒层的材质为aln，且所述第一势垒层的厚度为0.5～3nm。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二势垒层的材质为p型algan，所述第二势垒层中al的组分为2％～10％。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述电子阻挡层还包括势阱层，所述势阱层连接于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间，且所述势阱层的材质为p型ingan。

5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述势阱层的厚度为2～15nm，且所述势阱层中含有in元素。

6.根据权利要求1～5任一项所述的外延片，其特征在于，所述外延片...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兆斌，戴广超，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：