【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光二极管领域，尤其涉及一种外延层及其生长方法、发光器件和显示装置。
技术介绍
1、led(light emitting diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、室内外大屏显示等。
2、外延片是led中的主要构成部分，相关技术中外延结构包括依次生长在衬底上的n型半导体层、有源层、电子阻挡层和p型半导体层。其中电子阻挡层是比较重要的生长环节，电子阻挡层主要起到将n型半导体层的电子限制在有源层以与空穴进行复合发光的作用。现有电子阻挡层通常采用p型algan(palgan)结构，现有led外延层中电子阻挡层与多量子阱发光层最后一个势垒层(gan)之间存在较大的晶格失配，引起极化效应，产生较大应力，造成多量子阱发光层内电子和空穴复合量降低，进而降低led的内量子效率以及发光效率。
3、因此，如何提升led的发光效率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供外延层及其生长方法、发光器件和显示装置，旨在解决现有led外延层中电子阻挡层与gan之间存在较大的晶格失配，降低led的内量子效率以及发光效率的问题。
2、本申请提供一种外延层，包括：
3、n型半导体层；
4、p型半导体层；
5、有源层，设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及
6、电子阻挡层，设置在所述有源层与所述p型半导体层之间，所述电子阻挡层包括依次层叠设置的p型inaln层、第一aln层和p型gan层，所述p型inaln层比所述p型gan层更靠近所述有源层。
7、上述外延层，外延层中电子阻挡层包括p型inaln层、第一aln和p型gan层，其中p型inaln层与gan之间是近晶格匹配的，能够削弱电子阻挡层与有源层之间的极化效应以及较少应力，并且能够阻挡大量的电子从有源层溢出并进入p型半导体层13中；其中第一aln层的势垒较高，能够进一步阻挡少量电子从有源层溢出并进入p型半导体层13中；其中p型gan层可以提供更多的空穴，提升空穴浓度；并通过p型inaln层、第一aln层和p型gan层形成pinaln/aln/pgan异质结结构，在异质结界面处可以聚集空穴，使得更多的空穴被注入到有源层中。则通过本申请提供的外延层，外延层中电子阻挡层能够有效限制有源层中的电子进入p型半导体层的同时，也能增强空穴迁移的能力，提高有源层内的空穴浓度，并且电子阻挡层与有源层之间实现近晶格匹配，使得发光器件的内量子效率得到显著提升，大大提升了发光器件的发光效率。
8、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光器件，包括：
9、如前文所述的外延层；
10、与所述外延层中所述n型半导体层电连接的第一电极；以及
11、与所述外延层中所述p型半导体层电连接的第二电极。
12、上述发光器件，发光器件中电子阻挡层采用pinaln/aln/pgan异质结结构，与有源层之间实现近晶格匹配，能够有效限制有源层中的电子进入p型半导体层，也能增强空穴迁移的能力，提高有源层内的空穴浓度，使得发光器件的内量子效率得到显著提升，大大提升发光器件的发光效率。
13、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示装置，包括：
14、显示背板；以及
15、设置在所述显示背板上的多个如前文所述的发光器件。
16、上述显示装置，其设有内量子效率及发光效率更佳的发光器件，显示装置的质量更好。
17、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种外延层的生长方法，包括：
18、依次生长n型半导体层和有源层；
19、在所述有源层上生长p型inaln层；
20、在所述p型inaln层上生长第一aln层；
21、在所述第一aln层上生长p型gan层；以及
22、在所述p型gan层上生长p型半导体层。
23、上述外延层的生长方法中，依次在有源层上生长p型inaln层、第一aln层和p型gan层以制得电子阻挡层，其与有源层之间实现近晶格匹配，此电子阻挡层能够有效限制有源层中的电子进入p型半导体层，也能增强空穴迁移的能力，提高有源层内的空穴浓度，使得发光器件的内量子效率得到显著提升，大大提升发光器件的发光效率。
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1.一种外延层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述P型InAlN层包括交替层叠设置的第二AlN层和InN层。
3.如权利要求1或2所述的外延层，其特征在于，所述P型InAlN层中In的组分为15％～20％。
4.如权利要求1或2所述的外延层，其特征在于，所述P型InAlN层的厚度为5nm～30nm。
5.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述P型GaN层的厚度为2nm～10nm。
6.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述第一AlN层的厚度为0.5nm～3nm。
7.一种发光器件，其特征在于，包括：
8.一种显示装置，其特征在于，包括：
9.一种外延层的生长方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的外延层的生长方法，其特征在于，所述在所述有源层上生长P型InAlN层包括：
【技术特征摘要】
1.一种外延层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述p型inaln层包括交替层叠设置的第二aln层和inn层。
3.如权利要求1或2所述的外延层，其特征在于，所述p型inaln层中in的组分为15％～20％。
4.如权利要求1或2所述的外延层，其特征在于，所述p型inaln层的厚度为5nm～30nm。
5.如权利要求1所述的外延层，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄兆斌，戴广超，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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