【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及晶圆制备工艺。
技术介绍
目前，芯片以其集成度高、功耗低、体积小而广泛用于液晶显示装置、手机、个人数 字助理等多种现代电子设备中。通常，芯片是经以下制造工艺得到首先，形成具有多个集成电路的晶圆；然后， 对晶圆的每一集成电路进行测试；最后，将每一集成电路从晶圆上切裂而制成芯片。现有的 具有多个集成电路的晶圆多用作电器件的基板，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功 能的电子器件，可用作整流器、振荡器、放大器等器材。在晶圆上制造出多个集成电路的工 艺已非常成熟，但是除此以外，在同一块晶圆上没有集成其他功能的方法，限制了半导体的 发展广度。
技术实现思路
本专利技术是为解决在同一块晶圆上半导体器件功能单一的弊端而进行的，其目的在 于提供，使晶圆成为光电集成器件的基板。本专利技术涉及的晶圆结构包括嵌入多个埋氧化层的半导体衬底，多个埋氧化层在 该半导体衬底的内部横向间隔生成。优选地，在所述的晶圆结构中，该半导体衬底的材料是硅，该埋氧化层的材料是二氧化硅。优选地，在所述的晶圆结构中，嵌入埋氧化层的半导体衬底的高度比未嵌入该埋 氧化层的半...
【技术保护点】
一种晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构包括：嵌入多个埋氧化层的半导体衬底，所述多个埋氧化层在所述半导体衬底的内部横向间隔生成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：仇超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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