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本发明提供了一种晶圆结构包括：嵌入多个埋氧化层的半导体衬底，多个埋氧化层在半导体衬底的内部横向间隔生成。本发明还提供晶圆结构的制造方法包括：在晶圆的表面注入氧离子，在需要氧化的半导体衬底内部生成埋氧化层，未嵌入埋氧化层的半导体衬底构成电器件...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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