具有场效应管的集成电路和制造方法技术

本发明专利技术公开了具有场效应管的集成电路和制造方法。一实施例提供了包括第一ＦＥＴ和第二ＦＥＴ的集成电路。将第一ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的对应的一个。将第一ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。第一ＦＥＴ和第二ＦＥＴ中的每个ＦＥＴ的主体的沿着沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
诸如半导体电源开关的各种半导体应用包括用于诊断功能和保护功能的电路部 件。这种电路部件可以包括彼此电连接的场效应管(FET)。例如，可以将这些FET之一用于 感测这些FET中的另外一个FET的电特征。存在对于具有匹配的阈值电压的FET的集成电路的需要。对于这些和其他原因，存在对于本专利技术的需要。
技术实现思路
一种集成电路，包括第一 FET和第二 FET，其中，所述第一 FET的源极、漏极、栅极 中的至少一个电连接至所述第二 FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，所述第一 FET的 源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和所述第二 FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外 一个分别连接至电路元件；以及所述第一 FET和所述第二 FET中的每个的主体的沿着沟道 的掺杂浓度在所述沟道内的峰值位置处具有峰值。附图说明包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且将附图结合进来构成本说明书的一 部分。附图示出了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。参照以下详细描述将更 好地理解一些其他实施例以及实施例的多个预期优点，所以这些其他实施例以及实施例的 多个预期优点将更容易理解。附图的元件没有必要相对于彼此成比例。类似的附图标记表 示相应的类似部件。图1示出了根据一实施例的包括第一FET、第二FET以及彼此相互连接的电路元件 的集成电路的简化示意图。图2示出了包括沟槽FET的沟道区域的半导体基板的示意性截面图。图3为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的 沿着沟道的掺杂浓度的示意图。图4为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的 沿着沟道的掺杂浓度的示意图。图5A为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体 的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。图5B为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体 的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。图6为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的 沿着沟道的掺杂浓度的示意图。图7A和7B示出了在根据一实施例的集成电路的第一横向FET和第二横向FET的 制造期间的半导体基板的示意性截面图。图8A和8B示出了在根据一实施例的集成电路的第一横向FET和第二横向FET的 制造期间的半导体基板的示意性截面图。图9为根据一实施例的包括第一FET、第二FET以及电路元件的集成电路的示意图 的图解。图10示出了根据一实施例的用于制造集成电路的方法的简化流程图。 具体实施例方式在以下详细描述中，将对附图进行参照，附图形成了该描述的一部分，其中以示例 性的方式示出了可以实施本专利技术的特定实施例。在这点上，参照被描述的附图的方向来使 用诸如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“首位的”、“后面的”等的方向术语。因为可以在多个不 同的方向上定位实施例的组成部分，所以使用方向术语的目的在于为了进行说明，而绝不 是为了限定。应该理解，在不偏离本专利技术范围的前提下，可以利用其他实施例并且可以进行 结构或者逻辑的改变。因此，以下详细描述不应理解为具有限制意义，并且本专利技术的范围由 权利要求来定义。除非特别注明，否则应该理解，文中所述的各种典型实施例的特征可以彼此结合。一实施例提供了包括第一 FET和第二 FET的集成电路，其中，将第一 FET的源极、 漏极、栅极中的至少一个电连接至第二 FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，并且其中， 将第一 FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二 FET的源极、漏极、栅极中的对应 的另外一个分别连接至电路元件。集成电路的第一 FET和第二 FET的每个FET的主体沿着 沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。 一实施例提供了制造集成电路的方法。形成第一 FET和第二FET，其中，将第一 FET 的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二 FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，并 且其中，将第一 FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二 FET的源极、漏极、栅极 中的对应的另外一个分别连接至电路元件。根据一方法的第一 FET和第二 FET的形成进一 步包括形成第一 FET和第二 FET的每个的主体，其沿着相应的FET的沟道具有掺杂浓度， 该掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。参照图1，集成电路100包括第一 FET 110和第二 FET 120，其中，将第一 FET 110 的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二 FET 120的源极、漏极、栅极中的对应的一 个。在第一 FET 110和第二 raT 120之间的连接可以为诸如例如金属线的导电材料线的连 接线140。只要被施加给第一 FET 110的源极、漏极、栅极中的至少一个的电信号等于在第 二 FET 120的源极、漏极、栅极中的对应的一个处的电信号，则在第一 FET 110的源极、漏 极、栅极中的至少一个与第二 FET 120的源极、漏极、栅极中的对应的一个之间的连接就还 可以进一步包括例如电阻器的电路器件。将第一 FET 110的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二 FET 120的源极、 漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件130。第一 FET 110可以经由第一连 接线150连接至电路元件130并且第二 FET 120可以经由第二连接线160连接至电路元件 130。第一连接线150和第二连接线160的每条可以为诸如金属线的导线并且还可以进一步包括有源或者无源的电路器件。将电路元件130配置为处理分别从第一 FET 110和第二 FET 120提供的作为输入信号的电信号。例如，电路元件130可以为运算放大器，第一 FET 110可以为诸如功率DM0S (双扩散金属氧化物半导体)FET的功率FET，并且第二 FET 120 可以为诸如DM0S的感应FET，其面积小于功率FET 110的面积，该感应FET 120被配置成感 应功率FET 110的电特征。例如，第二 FET 120可以为第一 FET 110的单元阵列的一部分。 在这种情况下，可以将第一 FET 110的源极、漏极、栅极中的另外的一个与第二 FET 120的 源极、漏极、栅极中的对应的另外一个电隔离。此外，主体的沿着第一 FET 110和第二 FET 120中的每个的沟道的掺杂浓度在沟 道内的峰值位置处具有峰值(在图1中没有示出)。例如，术语“主体的沿着沟道的掺杂浓 度在峰值位置处的峰值”表示该主体的掺杂浓度在峰值位置处具有的数值大于或至少等于 该主体的掺杂浓度(即，主体掺杂分布图)在沟道的外部的任何数值，诸如，例如，主体分布 图的位于进入源极、漂移区域、漏极中的任何一个的扩展区域中的数值。峰值位置还可以是 沿着沟道的掺杂浓度的稳定阶段(plateau)。根据一实施例，第一 FET 110和第二 FET 120中的每个的主体的沿着沟道的掺杂 浓度从峰值位置至在FET 110和FET 120中的相应一个的主体和源极之间的pn结逐渐减 小。根据一实施例，第一 FET 110和第二 FET 120中的每个的主体的沿着沟道的掺杂 浓度在主体和源极之间的pn结与位于沟道内的峰值位置之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：第一ＦＥＴ和第二ＦＥＴ，其中，所述第一ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至所述第二ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的对应的一个，所述第一ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和所述第二ＦＥＴ的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件；以及所述第一ＦＥＴ和所述第二ＦＥＴ中的每个ＦＥＴ的主体的沿着沟道的掺杂浓度在所述沟道内的峰值位置处具有峰值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：托尔斯滕迈尔，斯特凡德克尔，诺贝特克里施克，克里斯托夫卡多，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]