发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件，包括第一基底，包括半导体材料或陶瓷材料；第一沟槽，自第一基底的第一侧向相反的第二侧延伸，且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸；第二沟槽，自第一侧向第二侧延伸，且自第一表面向第二表面延伸；发光装置，设置在第一表面上，发光装置具有第一电极及第二电极；第一导电层，位于第一沟槽的第一侧壁上且电性连接至第一电极；以及第二导电层，位于第二沟槽的第二侧壁上且电性连接至第二电极。本发明专利技术实施例的发光元件的第二基底（或封装基底）由于设置于第一基底下，可使整体封装结构在第一基底的厚度方向上（即平行于第一基底的第一表面的法向量的方向）较薄，有助于增进其应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光元件，且特别涉及侧光(side view)式发光元件。
技术介绍
发光二极管(LED)基于例如卓越的耐久性、低功率损耗、长工作寿命、无汞、高效 能等特性，已成为广为使用的照明设备。发光二极管元件可分为顶射式发光二极管(top view LEDs)及侧光式发光二极管 (side view LEDs)，取决于基底上的发光二极管芯片的出光方向。侧光式发光二极管可用 作小尺寸液晶屏幕的光源，例如可用于手机(mobile phones)、个人数字助理(PDAs)、或笔 记本电脑等。然而，侧光式发光二极管通常是以高分子材料封装。因此，散热问题将更趋严 重。此外，传统侧光式发光二极管的电极位于设置有发光二极管芯片的基底的相反面上，造 成侧光式发光二极管的封装体厚度增加，因而限制其应用。或者，侧光式发光二极管可通过 形成反射层或反射结构以将所发出的光线转向至所需的方向。然而，这种发光二极管的封 装体的尺寸仍过大。因此，业界亟需改良的发光二极管元件。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术实施例提供一种发光元件，包括第 一基底，包括半导体材料或陶瓷材料；第一沟槽，自第一基底的第一侧向相反的第二侧延 伸，且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸；第二沟槽，自第一侧向第二侧延伸， 且自第一表面向第二表面延伸；发光装置，设置在第一表面上，发光装置具有第一电极及第 二电极；第一导电层，位于第一沟槽的第一侧壁上且电性连接至第一电极；以及第二导电层，位于第二沟槽的第二侧壁上且电性连接至第二电极。本专利技术实施例提供一种发光元件，包括第一基底；第一沟槽，自第一基底的第一侧 向相反的第二侧延伸，且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸；第二沟槽，自第一 侧向第二侧延伸，且自第一表面向第二表面延伸；发光装置，设置在第一表面上，发光装置 具有第一电极及第二电极；第一导电层，位于第一沟槽的第一侧壁上且电性连接至第一电 极；以及第二导电层，位于第二沟槽的第二侧壁上且电性连接至第二电极。对本专利技术实施例的具有“侧边电极”的发光元件而言，电性连接至发光元件的印刷 电路板可由本来需设置于基底背面而改为设置于基底的侧面。因此，本专利技术实施例的发光 元件的第二基底(或封装基底)由于设置于第一基底下，可使整体封装结构在第一基底的 厚度方向上(即平行于第一基底的第一表面的法向量的方向)较薄，有助于增进其应用范 围。附图说明图IA-图IE显示本专利技术实施例的发光元件的一系列工艺示意图。图2A-图2F显示对应至图1的工艺剖面图。图3A-图3B显示在本专利技术实施例中，基底中的孔洞的侧壁。图4A-图4E显示本专利技术实施例的发光元件的示意图。图5A-图5B显示本专利技术实施例中，切割基底以获得发光元件的俯视图。图6A-图6C显示本专利技术实施例的发光元件的立体图。上述附图中的附图标记说明如下10 发光元件；100、130 基底；100a、100b、130a 表面；100c、IOOd 侧；102 发光装置；102a、102b 电极；102c 出光表面；104 孔洞；104a、104b 沟槽；104a‘、104b' 次孔洞；105 绝缘层；106、106a、106b、108a、108b、108c、108d、110a、110b 导电层；120 保护层；122 光学透镜；124 凹陷；132aU32b 导电结构；C1、C2 角落；Li、L2、L3、L4 切割线；W1、W2、W3 距离；W4 厚度。具体实施例方式本专利技术实施例涉及发光元件及其制法，且特别是有关于侧光(side view)式发光 元件。应了解的是以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本专利技术的不同方式。 以下所述特定的元件及排列方式尽为本专利技术的简单描述。当然，这些仅用以举例而非本发 明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚 地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例和/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及 一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间 隔有一个或更多其他材料层的情形。图IA-图IC显示根据本专利技术一实施例形成发光元件的俯视图。图2A-图2F显示 图1所示实施例中，形成发光元件的工艺剖面图。首先，请参照图1A，提供第一基底100。 第一基底100可包括(但不限于)半导体材料、陶瓷材料、或前述的组合。在此实施例中，第一基底100较佳为半导体晶片(例如硅晶片)或由陶瓷材料所制的基底(例如氧化铝基底)。图2A-图2B显示形成图IA的结构的工艺剖面图，其沿着切线al_a2。请参照图IA 及图2A，自第一基底100的第一表面IOOa形成至少两孔洞104，孔洞104自第一表面IOOa 向相反的第二表面IOOb延伸。可借着例如光刻及蚀刻工艺形成孔洞104。如图2A所示，靠 近左侧与靠近右侧的两个孔洞104皆完全贯穿第一基底100。在其他实施例中，一些孔洞 104或全部的孔洞104未完全贯穿第一基底100，而仅自第一表面IOOa向第二表面IOOb延 伸至一预定深度。此外，虽然图2A所示实施例中，孔洞104的侧壁大抵垂直于第一表面100a，然本发 明实施例不限于此。在其他实施例中，孔洞104的侧壁可倾斜于第一表面100a，如图3A所 示。在另一实施例中，孔洞104可由两阶段的蚀刻步骤形成。如图3B所示，先自第一表面 IOOa形成次孔洞(sub-hole) 104a‘至一预定深度。接着，自相反的第二表面IOOb形成次 孔洞104b'以露出次孔洞104a'的底部。次孔洞104a'及104b‘共同形成完全贯穿第一 基底100的孔洞。在此实施例中，次孔洞104a ‘的侧壁自第一表面IOOa朝第二表面IOOb 方向延伸至一预定深度且逐渐缩小(逐渐变尖细)，而次孔洞104b‘自第二表面IOOb朝第 一表面IOOa方向逐渐延伸且缩小，并露出次孔洞104a'的底部。易言之，图3B中的孔洞 (包括次孔洞104a'及次孔洞104b')自第一表面100a朝第二表面IOOb倾斜而逐渐缩 小，且同时自第二表面IOOb朝第一表面倾斜而逐渐缩小。请参照图IA及图2B，在形成孔洞104之后，于孔洞104的侧壁上形成图案化导电 层106。若第一基底100具导电性，例如是硅晶片，较佳于形成导电层106之前，先于孔洞 104的侧壁上形成绝缘层105。为简化附图，绝缘层105仅显示于图2B-图2C中，于图IA-图 IE中则省略而未显示。绝缘层105可包括(但不限于)高分子材料、氧化硅、氮化硅、氮氧 化硅、其他适合绝缘材料、或前述的组合。绝缘层105可例如以旋转涂布、化学气相沉积、物 理气相沉积、和/或其他适合工艺形成。在选择性形成绝缘层105之后，于第一基底100上形成导电层106。导电层106可 包括(但不限于)金属材料、导电高分子材料、导电陶瓷材料(包括导电氧化物材料)、或 前述的组合。在一实施例中，导电层106由铜制成，且借着电镀工艺而形成。在其他实施例 中，导电层106可借着物理气相沉积、化学气相沉积、电镀工艺、和/或无电镀工艺而形成。 可接着进行光刻及蚀刻工艺以将绝缘层105(若有形成)及导电层106图案化。图案化导 电层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包括：一第一基底，包括一半导体材料或一陶瓷材料；一第一沟槽，自该第一基底的一第一侧向相反的一第二侧延伸，且自该第一基底的一第一表面向相反的一第二表面延伸；一第二沟槽，自该第一侧向该第二侧延伸，且自该第一表面向该第二表面延伸；一发光装置，设置在该第一表面上，该发光装置具有一第一电极及一第二电极；一第一导电层，位于该第一沟槽的一第一侧壁上且电性连接至该第一电极；以及一第二导电层，位于该第二沟槽的一第二侧壁上且电性连接至该第二电极。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭武政，翁瑞坪，林孜翰，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]