本发明专利技术提供一种发光装置及使用此发光装置的电子装置。上述发光装置包含一具有发光波段范围介于４６０～６５０纳米间的发光晶粒及一荧光粉体，其中此荧光粉体可被发光晶粒所发射的光激发，而发出发光波段范围介于７００～１２００纳米的红外光，其中上述荧光粉体选自掺杂铜金属的硫化镉、掺杂铜金属的硫化硒及掺杂铜金属的碲化镉及其任意组合。本发明专利技术提供的发光装置可有效地发射高发光强度的红外光。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光装置，特别涉及一种具有高发光强度的红外光发光装置。
技术介绍
目前，发光二极管(light emitting diode ；LEDs)已广泛地应用于各种领域中。 例如，蓝光、红光及绿光等可见光的发光二极管，可应用于照明及显示等领域。然而，不可见 光范围的红外光发光二极管则可应用于无线远程控制及感应等领域。一般而言，红外光发光二极管是使用砷化镓(GaAs)为基板，并在砷化镓基板上沉 积相似材质的发光层如砷化镓或砷铝化镓(GaAlAs)的方式制作，并直接以此发光二极管 晶粒发射发光波段范围850 940纳米的红外光。然而，以此种方式制作的红外光发光二 极管的发光强度较差，且其发光波段较窄狭。因此，亟需一种发光装置，其可发射高发光强度的红外光，乃是现今发光二极管制 造厂商仍需努力解决的目标。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的一实施例提供一种发光装置，其包含一发光晶粒，其发光波 段范围介于460 650纳米之间；一封装体，包覆此发光晶粒；以及一荧光粉体，散布于上 述封装体中，且此荧光粉体可经由上述发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段范 围介于700 1200纳米之间的光，其中上述荧光粉体选自掺杂铜金属的硫化镉、掺杂铜金 属的硫化硒及掺杂铜金属的碲化镉及其任意组合。此外，本专利技术另一实施例提供一种使用上述发光装置的电子装置，此电子装置包 含光学感应输入装置、远程控制装置或局域网络信号收发装置。本专利技术再一实施例提供一种发光装置。此发光装置包含一发光晶粒，其发光波段 范围介于460 650纳米之间；一封装体，包覆上述发光晶粒；以及一荧光粉体，散布于上 述封装体中，且上述荧光粉体经由上述发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段范 围介于700 1200纳米之间的光，其中上述荧光粉体选自掺杂钠或钾金属的硫酸钡及硫酸 锶及其任意组合。本专利技术又一实施例提供一种发光装置。此发光装置包含一基板；及多个发光装 置，其以阵列式排列设置于上述基板上，其中上述发光装置包含一发光晶粒，其发光波段 范围介于460 650纳米之间；一封装体，包覆此发光晶粒；以及一荧光粉体，散布于上述 封装体中，且此荧光粉体可经由上述发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段范围 介于700 1200纳米之间的光，其中上述荧光粉体选自掺杂铜金属的硫化镉、掺杂铜金属 的硫化硒及掺杂铜金属的碲化镉及其任意组合。本专利技术又另一实施例提供一种发光装置。此发光装置包含一基板；及多个发光 装置，其以阵列式排列设置于上述基板上，其中上述发光装置包含一发光晶粒，其发光波 段范围介于460 650纳米之间；一封装体，包覆上述发光晶粒；以及一荧光粉体，散布于上述封装体中，且上述荧光粉体经由上述发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段 范围介于700 1200纳米之间的光，其中上述荧光粉体选自掺杂钠或钾金属的硫酸钡及硫 酸锶及其任意组合。本专利技术又另一实施例提供一种发光装置。此发光装置包含一基板；多个发光波 长范围介于460 650纳米间的发光晶粒，其以一阵列式排列设置于上述基板上；一封装 体，形成于上述基板上；及一荧光粉体，散布于上述封装体中，且上述荧光粉体可经由上述 发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段范围介于700 1200纳米之间的光，上述 荧光粉体选自掺杂铜金属的硫化镉掺杂铜金属的硫化硒及掺杂铜金属的碲化镉及其任意 组合。本专利技术又另一实施例提供一种发光装置。此发光装置包含一基板；多个发光波 长范围介于460 650纳米间的发光晶粒，其以一阵列式排列设置于上述基板上；一封装 体，形成于上述基板上；及一荧光粉体，散布于上述封装体中，且上述荧光粉体可经由上述 发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段范围介于700 1200纳米之间的光，其中 上述荧光粉体选自掺杂钠或钾金属的硫酸钡及硫酸锶其中之一。综上所述，通过发光晶粒以及荧光粉体的搭配，本专利技术提供的发光装置可有效地 发射高发光强度的红外光。附图说明图1示出了根据本专利技术一实施例的发光装置的示意图；图2示出了根据本专利技术实施例的发光装置的发光强度的仿真图表；图3示出了根据本专利技术实施例的发光装置的变化例示意图。图4A-图4B示出了根据本专利技术另一实施例的发光装置的示意图；及图5示出了使用本专利技术实施例的发光装置的电子设备的示意图。其中，附图标记说明如下10 -、发光装置；12 -、发光晶粒14 -、导线；16 -、荧光粉体18 -、封装体；20 -、引脚；22 -、基板；24 -、封装板；26 -、远程控制器；28 -、按键。具体实施例方式接下来，通过实施例配合附图，以详细说明本专利技术概念及具体实施的方式。在附图 或描述中，相似或相同部分的组件使用相同的符号。此外，在附图中，实施例的组件的形状 或厚度可扩大，以简化或是方便标示。可以了解的是，未示出或描述的组件，可以是具有各 种本领域技术人员所知的形式。以下，本专利技术将以一制作发光装置(light emitting device)，例如是发光二极管 封装体的实施例作为说明。然而，可以了解的是，在本专利技术各实施例中的发光装置，其可应 用于各种电子装置(electronic device)，例如远程控制装置(remote controller)，如影 像远程控制器或门禁控制器等，或者是光学感应装置(optical sensor)如烟雾侦测器或局域网络信号收发器，或光学感应输入装置如光学鼠标。图1示出了根据本专利技术一实施例的发光装置10的剖面图。如图1所示，提供一 发光晶粒(light emitting chip) 12，例如发光二极管，且此发光晶粒12可发出一短波段 光，其发光波长范围介于460 650纳米(nm)之间。上述发光晶粒12较佳可以是以氮化 镓(GaN)或铟氮化镓(InGaN)为主的沉积层的堆栈结构。例如，可以是在一蓝宝石基板 (sapphire substrate)上，依序沉积掺杂镁的氮化镓层(p_GaN)、氮化镓层及掺杂硅的氮化 镓层(n-GaN)的堆栈结构，且通过提供电流使其发出蓝光波段范围的光。在图1中，一导线14电性连接上述发光晶粒12，且利用一散布有荧光粉体 (phosphor powder) 16 的封装体(encapsulant material) 18 包覆发光晶粒 12 及导线 14。 又如图1所示，一引脚20电性连接上述导线14，且通过引脚20可提供一外部电流，经由导 线14驱动发光晶粒12发光。上述荧光粉体16较佳可以是具有可发射红外光波段的可受光激发物质，其光发 射波长范围介于700 1200纳米之间，例如上述荧光粉体16的材质可以是掺杂铜金属 的硫化镉(简称，CdS:Cu)、掺杂铜金属的硫化硒(简称，SeS:Cu)或掺杂铜金属的碲化镉 (简称，CdTe: Cu)。举例来说，荧光粉体 16 可为 Cd1IS = Cux, CcUSe Cux 或 CcUTe Cux，其 中χ < 0. 1，χ > 0. 01。或者，上述荧光粉体16的材质也可以是掺杂钠或钾金属的硫酸钡 (简称，BaSO4 = Na ;BaS04:K)，或掺杂钠或钾金属的硫酸锶(SrSO4Na ；SrSO4:K) 值得一提 的是，上述掺杂钠或本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包含：一发光晶粒，其发光波段范围介于４６０～６５０纳米之间；一封装体，包覆该发光晶粒；以及一荧光粉体，散布于该封装体中，且该荧光粉体经由该发光晶粒所发射的光激发，而发射出一发光波段范围介于７００～１２００纳米之间的光，其中该荧光粉体选自掺杂铜金属的硫化镉、掺杂铜金属的硫化硒及掺杂铜金属的碲化镉及其任意组合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇桓，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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