纳米结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的ｐ－ｎ结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明专利技术还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明专利技术还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及本质上为一维形式的结构，该结构的宽度或直径为 纳米尺寸，它们一般被称为纳米晶须、纳米棒、纳米线、纳米管等；为便 于说明，此种结构将被称为"一维纳米元件"。本专利技术更具体地但不限于 涉及纳米晶须以及形成纳米晶须的方法。
技术介绍
利用所谓的VLS (气-液-固)机理在衬底(基片)上形成晶须的基本 工艺是众所周知的。衬底上的催化材料(例如通常为金)的颗粒在特定气 体氛围中被加热，以形成熔融体。在熔融体下面形成柱状物，该熔融体在 该柱状物的顶部上升。因此，便得到所需材料的晶须，其中固化颗粒熔融 体位于顶部一参见"Growth of Whiskers by the Vapour-Liquid-Solid Mechanism", Givargizov, Current Topics in Materials Science,巻1， 79-145页， North Holland Publishing Company, 1978。这种晶须的尺寸在微米范围内。国际专利申请WO 01/84238在图15和16中公开了一种形成纳米晶须 的方法，其中来自气溶胶的纳米尺寸的颗粒沉积在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电装置，包括：　设有接点区（１９３）的衬底；　至少一个从所述接点区（１９３）延伸的纳米晶须（１９０），所述纳米晶须（１９０）形成至少部分的用于光吸收的ｐ－ｎ结；　在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极（１９６ ）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔斯伊瓦尔塞缪尔森，约纳斯比约恩奥尔松，
申请(专利权)人：库纳诺公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]