用于干膜去除的剥离剂制造技术

本发明专利技术涉及用于干膜去除的剥离剂，在优选实施方案中是光致抗蚀剂剥离剂配制剂，包括：羟胺；水；溶剂，选自二甲基亚砜、Ｎ－甲基吡咯烷、二甲基乙酰胺、二丙二醇一甲基醚、单乙醇胺和它们的混合物；基料，选自氢氧化胆碱、单乙醇胺、氢氧化四甲基铵、氨基乙基乙醇胺和它们的混合物；金属腐蚀抑制剂，选自邻苯二酚、没食子酸、乳酸、苯并三唑和它们的混合物；和槽池寿命延长剂，选自丙三醇、丙二醇和它们的混合物。本发明专利技术还是利用上述配制剂的方法，如在优选实施方案中例示。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
从半导体器件表面去除光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物的光致抗蚀剂剥离剂配制剂，包括　羟胺；　水；　溶剂，选自二甲基亚砜；Ｎ－甲基吡咯烷；二甲基乙酰胺；二丙二醇一甲基醚；单乙醇胺和它们的混合物；　基料，选自氢氧化胆碱 、单乙醇胺、氢氧化四甲基铵、氨基乙基乙醇胺和它们的混合物；　金属腐蚀抑制剂，选自邻苯二酚、没食子酸、乳酸、苯并三唑和它们的混合物；和　槽池寿命延长剂，选自丙三醇、丙二醇和它们的混合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘文达，李翊嘉，廖明吉，MB劳，MI厄比，许志民，MW莱根扎，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]