一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及掩模版后处理设备离子残留控制技术领域，尤其涉及一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置，包括：转接件，可拆卸连接于掩模版后处理设备的旋转结构，并能够在掩模版后处理设备的旋转结构的驱动下转动；喷淋管，上下延伸设置，所述喷淋管与掩模版后处理设备的蚀刻腔的腔壁、旋转结构、升降结构、显影喷头以及蚀刻喷头间隔设置，所述喷淋管的周侧开设有喷淋孔；连接件，用于连接所述转接件和所述喷淋管。基于本实用新型专利技术，能够提高掩模版后处理设备的清洗效率，且能够对蚀刻腔的腔壁实现无死角的清洗。实现无死角的清洗。实现无死角的清洗。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置


[0001]本技术涉及掩模版后处理设备离子残留控制
，尤其涉及一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置。

技术介绍

[0002]掩模版后处理设备(也称蚀刻设备)是指掩模版在曝光处理完成后，在后处理中进行全自动显影、蚀刻和清洗的设备装置，如图1和图2所示，掩模版后处理设备包括设备外壳100、旋转结构120、升降结构130、显影喷头140、蚀刻喷头150以及旋转托盘160，设备外壳100呈桶状并具有蚀刻腔1101，蚀刻腔1101的底部设有排液管111，旋转结构120设于蚀刻腔1101内，并与蚀刻腔1101的腔壁间隔设置，且用于驱动旋转托盘160转动，升降结构130设于蚀刻腔1101内并与蚀刻腔1101的腔壁间隔设置，且用于驱动旋转结构120上下移动，显影喷头140和蚀刻喷头150间隔设置，并均设于蚀刻腔1101的腔壁，且均临近蚀刻腔1101的腔口，旋转托盘160可拆卸连接于旋转结构120的上侧，并用于承托掩模版170。
[0003]在掩模版后处理设备完成一轮显影、蚀刻过程后，蚀刻液中的离子会残留在蚀刻腔1101的腔壁、显影喷头140和蚀刻喷头150，并可能形成肉眼可接的晶体，这些残留的离子会伴随显影喷头140或蚀刻喷头150喷液的过程中破坏掩模版170表面未曝光的光刻胶区域，造成白缺陷，甚至报废，因此，掩模版后处理设备在完成一轮显影、蚀刻过程后，需要对残留的离子进行清洗，但目前的清洗是通过手工进行清洗的，存在清洗效率低，无法对蚀刻腔1101的死角处进行清洗。
技术内容
[0004]本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置，其旨在解决清洗效率低，以及无法对蚀刻腔的死角处进行清洗的问题。
[0005]本技术是这样实现的：
[0006]一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置，包括：
[0007]转接件，可拆卸连接于掩模版后处理设备的旋转结构，并能够在掩模版后处理设备的旋转结构的驱动下转动；
[0008]喷淋管，上下延伸设置，所述喷淋管的上端管口用于与一外部的供液系统连通，而下端管口封堵设置，所述喷淋管与掩模版后处理设备的蚀刻腔的腔壁、旋转结构、升降结构、显影喷头以及蚀刻喷头间隔设置，所述喷淋管的周侧开设有喷淋孔；
[0009]连接件，用于连接所述转接件和所述喷淋管。
[0010]可选地，所述掩模版后处理设备的离子残留控制装置还包括设于喷淋管的周侧的清洗刷毛，所述清洗刷毛的自由端能够抵触到对应位置处的蚀刻腔的腔壁。
[0011]可选地，所述连接件为管件，所述连接件的内管通道与所述喷淋管的内管通道相互连通。
[0012]可选地，所述连接件具有上下设置的上管端和下管端，所述上管端与所述转接件连接，所述下管端则与所述喷淋管连接，所述上管端的管口设有所述转接件的上侧面，所述上管端的管口的中心轴线与旋转托盘的转动轴线同轴设置。
[0013]可选地，所述连接件与所述喷淋管一体结构设置。
[0014]可选地，所述转接件、所述喷淋管和所述连接件一体结构设置。
[0015]可选地，所述转接件呈杆状结构，并上下延伸设置，且横截面为非圆形。
[0016]可选地，所述转接件的高度大于掩模版后处理设备的旋转结构到蚀刻腔的距离。
[0017]基于本技术的结构设计，在使用过程中，首先，先将旋转托盘从刻旋转结构上拆离，再将转接件连接到旋转结构，如图和图所示，其次，使喷淋管的上端管口连接外部的供液系统，再次，供液系统向喷淋管供应清洗液，清洗液将经喷淋管的喷淋孔向蚀刻腔的腔壁、显影喷头以及蚀刻喷头喷淋清洗液，与此同时，旋转结构带动转接件转动，进而通过连接件带动喷淋管绕旋转结构转动，从而能够快速地对蚀刻腔的腔壁、显影喷头以及蚀刻喷头进行清洗，提高清洗效率，且蚀刻腔的腔壁的清洗能够实现无死角的清洗。
[0018]根据前述可知，基于本技术的结构设计，能够提高掩模版后处理设备的清洗效率，且能够对蚀刻腔的腔壁实现无死角的清洗。
[0019]此外，该清洗装置结构简单，且不需要对掩模版后处理设备本身进行改进，有利于降低掩模版后处理设备的清洗成本。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是掩模版后处理设备的立体图；
[0022]图2是掩模版后处理设备的剖视图，其中，旋转托盘安置有掩模版；
[0023]图3是本技术实施例提供的掩模版后处理设备的离子残留控制装置的立体图；
[0024]图4是本技术实施例提供的掩模版后处理设备的离子残留控制装置在使用状态下的立体图；
[0025]图5是本技术实施例提供的掩模版后处理设备的离子残留控制装置在使用状态下的立体剖视图。
[0026]附图标号说明：
[0027]标号名称标号名称110设备外壳1101蚀刻腔111排液管
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120旋转结构
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130升降结构
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140显影喷头
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150蚀刻喷头
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160旋转托盘
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170掩模版
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210转接件
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220喷淋管2201喷淋孔230连接件
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具体实施方式
[0028]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0029]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版后处理设备的离子残留控制装置，其特征在于，包括：转接件，可拆卸连接于掩模版后处理设备的旋转结构，并能够在掩模版后处理设备的旋转结构的驱动下转动；喷淋管，上下延伸设置，所述喷淋管的上端管口用于与一外部的供液系统连通，而下端管口封堵设置，所述喷淋管与掩模版后处理设备的蚀刻腔的腔壁、旋转结构、升降结构、显影喷头以及蚀刻喷头间隔设置，所述喷淋管的周侧开设有喷淋孔；连接件，用于连接所述转接件和所述喷淋管。2.如权利要求1所述的掩模版后处理设备的离子残留控制装置，其特征在于，所述掩模版后处理设备的离子残留控制装置还包括设于喷淋管的周侧的清洗刷毛，所述清洗刷毛的自由端能够抵触到对应位置处的蚀刻腔的腔壁。3.如权利要求1所述的掩模版后处理设备的离子残留控制装置，其特征在于，所述连接件为管件，所述连接件的内管通道与所述喷淋管的内管通道相互连通。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：雷健，白永智，
申请(专利权)人：深圳市龙图光罩股份有限公司，
类型：新型
国别省市：