PSM制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及掩模版
，尤其涉及一种
PSM
掩模版白缺陷修补方法
、
设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]随着集成电路设计的高速发展，掩模版图形设计的尺寸日益缩小，光学邻近效应越来越明显
。
越来越多的光学技术以及光学邻近校正技术被应用到光刻工艺中
。
曝光波长的短波长化在改善清晰度的同时会减少焦点深度，从而降低工艺过程的稳定性
。
为了保证光刻图形的精确性，相移掩膜 (PSM
，
Phase ShiftMask) 技术越来越多地被采用
。
[0003]相关技术中，
PSM
掩模版的生产流程为原材料的光阻经过曝光，显影蚀刻后，在
Cr
层即遮光层和相移层表面形成图形区，经过脱模清洗后在形成图形区以及
Cr
层表面涂覆光阻，光阻经过二次曝光，显影刻蚀后在相移层表面形成图形区，接着经过脱模清洗检验等步骤后，若产品无缺陷，则可以进行成品包装出货；若产品在此环节过程中的任一环节产生缺陷，通过检验设备检查后，需要对产生的缺陷种类及大小进行初步判断，确定是否可以修复
。
此过程中产生的缺陷可以是原材料自身的缺陷或非图形区误曝光后，在随后的工艺流程中形成的缺陷，对产生的缺陷多采用油墨修补针孔的修补方法进行修补，即掩模版在检验设备上检测出白缺陷后，首先确定上游
fab
>厂是否接受修补，如果不接受修补，则直接将产品报废，其次，确定白缺陷的大小是否可以修补，白缺陷过大和过小均无法修补，最后，如果缺陷大小在合适的尺寸，通过定位缺陷的坐标位置，人工蘸取一定量的油墨涂覆在白缺陷区域，然后进行加热固化，达到修复的目的
。
[0004]但是，随着晶圆制程节点的不断提升，掩模版的缺陷要求也越来越严格，传统油墨修补针孔的修补方法已经不适合修补高精度掩模版，而且修补设备对白缺陷类型的修补能力较低，且设备成本极高
。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于：提供一种
PSM
掩模版白缺陷修补方法
、
设备及存储介质，旨在解决现有技术中的修补方法不适合修补高精度掩模版的技术问题
。
[0006]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：第一方面，本专利技术提供了一种
PSM
掩模版白缺陷修补方法，所述方法包括：在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；形成所述遮光层和
/
或所述相移层后，对所述遮光层和
/
或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和
/
或所述相移层的白缺陷进行修补
。
[0007]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述形成所述遮光层和
/
或所述相移层后，对所述遮光层和
/
或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：形成所述遮光层和所述相移层后，对所述遮光层和所述相移层进行缺陷检查；
将所述遮光层和
/
或所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得所述白缺陷的位置
。
[0008]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和
/
或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层和所述相移层的白缺陷进行修补；当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补
。
[0009]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层和所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：分别在所述遮光层和所述相移层具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第一待曝光区域和第二待曝光区域；所述遮光层对应所述第一待曝光区域的位置设置有第一光阻，所述相移层对应所述第二待曝光区域的位置设置有第二光阻；分别对所述第一待曝光区域和所述第二待曝光区域进行曝光，并分别剥离所述第一光阻和所述第二光阻，形成第一待修补区域和第二待修补区域；判断所述第一待修补区域与所述第二待修补区域是否重叠；若是，则使用第一修补材料分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；若否，则提供第二修补材料并利用局部沉积的方式分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；所述第二修补材料不同于所述第一修补材料
。
[0010]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：在所述遮光层和所述相移层中的任一者具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第三待曝光区域；所述遮光层或所述相移层对应所述第三待曝光区域的位置设置有第三光阻；对所述第三待曝光区域进行曝光，并剥离所述第三光阻，形成第三待修补区域；利用面沉积的方式对所述第三待修补区域进行修补
。
[0011]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述利用面沉积的方式对所述第三待曝光区域进行修补的步骤之后，所述方法还包括：在所述遮光层和所述相移层中的另一者具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第四待曝光区域；所述遮光层和所述相移层中的另一者对应所述第四待曝光区域的位置形成有第四光阻；对所述第四待曝光区域进行曝光，并剥离所述第四光阻，形成第四待修补区域；利用面沉积的方式对所述第四待修补区域进行修补
。
[0012]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述形成所述遮光层和
/
或所述相移层后，对所述遮光层和
/
或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：在形成所述遮光层后，对所述遮光层进行缺陷检查，获得第一检查结果；
根据所述第一检查结果判断所述遮光层是否存在白缺陷；若是，则将所述遮光层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第一白缺陷的位置；若否，则在形成所述相移层后，对所述相移层进行缺陷检查，获得第二检查结果，并根据所述第二检查结果判断所述相移层是否存在白缺陷；若是，则将所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第二白缺陷的位置；若否，则所述白缺陷的位置为无
。
[0013]可选地，上述
PSM
掩模版白缺陷修补方法中，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
PSM
掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述方法包括：在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；形成所述遮光层和
/
或所述相移层后，对所述遮光层和
/
或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和
/
或所述相移层的白缺陷进行修补
。2.
如权利要求1所述的
PSM
掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述形成所述遮光层和
/
或所述相移层后，对所述遮光层和
/
或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：形成所述遮光层和所述相移层后，对所述遮光层和所述相移层进行缺陷检查；将所述遮光层和
/
或所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得所述白缺陷的位置
。3.
如权利要求2所述的
PSM
掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和
/
或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层和所述相移层的白缺陷进行修补；当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补
。4.
如权利要求3所述的
PSM
掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层和所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：分别在所述遮光层和所述相移层具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第一待曝光区域和第二待曝光区域；所述遮光层对应所述第一待曝光区域的位置设置有第一光阻，所述相移层对应所述第二待曝光区域的位置设置有第二光阻；分别对所述第一待曝光区域和所述第二待曝光区域进行曝光，并分别剥离所述第一光阻和所述第二光阻，形成第一待修补区域和第二待修补区域；判断所述第一待修补区域与所述第二待修补区域是否重叠；若是，则使用第一修补材料分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；若否，则提供第二修补材料并利用局部沉积的方式分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；所述第二修补材料不同于所述第一修补材料
。5.
如权利要求3所述的
PSM
掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：在所述遮光层和所述相移层...

【专利技术属性】
技术研发人员：何祥，雷健，黄执祥，崔嘉豪，郑祺弘，
申请(专利权)人：深圳市龙图光罩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：