图形辅助的干法刻蚀装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种图形辅助的干法刻蚀装置及方法，其中，图形辅助的干法刻蚀装置包括基板

【技术实现步骤摘要】
图形辅助的干法刻蚀装置及方法


[0001]本专利技术涉及掩膜版
，尤其涉及一种图形辅助的干法刻蚀装置及方法
。

技术介绍

[0002]在干法刻蚀反应制备掩膜版的过程中，由于负载效应的存在，基板各处的刻蚀速率并不相等
。
尤其是密集线缝和
contact
层的特殊图形（如密集小方块等），与其他稀疏区域相比，其刻蚀速率会不可避免地较慢
。
[0003]现有技术通常通过
EPD
技术来检测掩膜版刻蚀进度，传统的
EPD
探测装置以生成物或者反应物的发射光谱为基准，检测的主要是整体反应的进行程度，无法判断局部密集线缝或密集小方块处的刻蚀进度，而且对于刻蚀进度的判断存在着一定延迟，无法精确的控制反应终点
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种图形辅助的干法刻蚀装置及方法，旨在解决现有的掩膜版干法刻蚀过程中对于刻蚀进度的判断存在着一定延迟，无法精确的控制反应终点的问题
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括自上至下依次层叠设置的光阻层
、
遮光层和透明基底，所述遮光层包括图形区和辅助区，所述辅助区上制备有辅助图形，所述光阻层上对应所述图形区和所述辅助图形的位置上均开设有避让口；所述辅助图形包括多个图形特征，多个所述图形特征包括两个线条区，两个第一格点区和一个第二格点区，两个所述线条区沿第一方向间隔分布，各所述线条区朝向另一所述线条区的一侧设置有多个第一格点组成的所述第一格点区，两个所述第一格点区之间设置有多个第二格点组成的是第二格点区，所述第二格点的尺寸小于所述第一格点的尺寸，所述辅助图形的所述图形特征与所述图形区的图形特征适配；光发射器，所述光发射器位于所述基板的上方并向所述辅助图形发射光；
CCD
图像传感器，所述
CCD
图像传感器位于所述基板对应所述辅助图形处的下方，所述
CCD
图像传感器用于接受穿过所述基板的光并形成图像；显示部件，所述显示部件与所述
CCD
图像传感器电连接，并用于显示所述图像
。
[0006]优选地，各所述线条区包括第一线条子区和第二线条子区，所述第二线条子区靠近所述第一格点区设置，所述第一线条子区位于所述第二线条子区的外侧，所述第一线条子区和所述第二线条子区均包括多个沿第一方向间隔设置的线条，所述第一线条子区内线条的线条分布密度小于所述第二线条子区内线条的线条分布密度，所述第一线条子区的线条宽度和所述第二线条子区的线条宽度相同
。
[0007]优选地，所述第一格点和所述第二格点均为方型格，所述第二格点的面积为所述第一格点的面积的一半
。
[0008]优选地，所述图形特征的特征尺寸包括所述第一线条子区内线条的线条宽度和线条分布密度
、
所述第二线条子区内线条的线条宽度和线条分布密度
、
所述第一格点的面积和所述第二格点的面积，所述辅助图形的数量为多个，且多个所述辅助图形的图形特征的特征尺寸均不相同
。
[0009]优选地，所述辅助图形的数量为四个，四个所述辅助图形围成十字型结构，且四个所述辅助图形交叉处形成空白的定位区
。
[0010]优选地，四个所述辅助图形分别为第一辅助图形
、
第二辅助图形
、
第三辅助图形和第四辅助图形；所述第一辅助图形中，所述第一线条子区和所述第二线条子区的线宽尺寸为
670nm~770nm
，所述第一线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
670nm~770nm
，所述第二线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
1340nm~1540nm
，所述第一格点区的尺寸为2μ
m
×2μ
m
，所述第二格点区的尺寸为1μ
m
×1μ
m
；所述第二辅助图形中，所述第一线条子区和所述第二线条子区的线宽尺寸为
550nm~650nm
，所述第一线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
550nm~650nm ，所述第二线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
1100~1300nm
，所述第一格点区的尺寸为2μ
m
×2μ
m
，所述第二格点区的尺寸为1μ
m
×1μ
m
；所述第三辅助图形中，所述第一线条子区和所述第二线条子区的线宽尺寸为
370nm~470nm
，所述第一线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
370nm~470nm ，所述第二线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
740nm~940nm
，所述第一格点区的尺寸为2μ
m
×2μ
m
，所述第二格点区的尺寸为1μ
m
×1μ
m
；所述第四辅助图形中，所述第一线条子区和所述第二线条子区的线宽尺寸为
310nm~410nm
，所述第一线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
310nm~410nm
，所述第二线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
620nm~820nm
，所述第一格点区的尺寸为2μ
m
×2μ
m
，所述第二格点区的尺寸为1μ
m
×1μ
m。
[0011]本专利技术还提供一种图形辅助的干法刻蚀方法，应用于上述的图形辅助的干法刻蚀装置，包括以下步骤：提供所述基板；通过干法刻蚀工艺对所述基板的所述避让口下方的所述遮光层进行刻蚀；通过所述光发射器向所述辅助图形发射光，通过所述
CCD
图像传感器接受穿过所述基板的光并形成图像，将所述图像发送至显示装置，所述显示装置显示所述图像；持续刻蚀，直至所述显示装置上显示的所述图像形成预设图案，停止刻蚀
。
[0012]优选地，所述辅助图形的数量为多个，多个所述辅助图形的图形特征的特征尺寸均不相同；所述通过光发射器向所述辅助图形发射光，通过
CCD
图像传感器接受穿过所述基板的光并形成图像，将所述图像发送至显示装置的步骤之前包括：根据所述图形区的图形特征的特征尺寸，选择图形特征的特征尺寸与其适配的所述辅助图形；将所述光发射器移动至对应的所述辅助图形的上方，将所述
CCD
图像传感器移动至对应的所述辅助图形的下方
。
[0013]优选地，所述预设图案的数量为三个，三个所述预设图案分别为第一预设图案
、
第二预设图案和第三预设图案，所述第一格点区透光形成的图案为所述第一预设图案，所述第一格点区和所述第二格点区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括自上至下依次层叠设置的光阻层
、
遮光层和透明基底，所述遮光层包括图形区和辅助区，所述辅助区上制备有辅助图形，所述光阻层上对应所述图形区和所述辅助图形的位置上均开设有避让口；所述辅助图形包括多个图形特征，多个所述图形特征包括两个线条区，两个第一格点区和一个第二格点区，两个所述线条区沿第一方向间隔分布，各所述线条区朝向另一所述线条区的一侧设置有多个第一格点组成的所述第一格点区，两个所述第一格点区之间设置有多个第二格点组成的第二格点区，所述第二格点的尺寸小于所述第一格点的尺寸，所述辅助图形的所述图形特征与所述图形区的图形特征适配；光发射器，所述光发射器位于所述基板的上方并向所述辅助图形发射光；
CCD
图像传感器，所述
CCD
图像传感器位于所述基板对应所述辅助图形处的下方，所述
CCD
图像传感器用于接受穿过所述基板的光并形成图像；显示部件，所述显示部件与所述
CCD
图像传感器电连接，并用于显示所述图像
。2.
如权利要求1所述的图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，各所述线条区包括第一线条子区和第二线条子区，所述第二线条子区靠近所述第一格点区设置，所述第一线条子区位于所述第二线条子区的外侧，所述第一线条子区和所述第二线条子区均包括多个沿第一方向间隔设置的线条，所述第一线条子区内线条的线条分布密度小于所述第二线条子区内线条的线条分布密度，所述第一线条子区的线条宽度和所述第二线条子区的线条宽度相同
。3.
如权利要求2所述的图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，所述第一格点和所述第二格点均为方型格，所述第二格点的面积为所述第一格点的面积的一半
。4.
如权利要求3所述的图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，所述图形特征的特征尺寸包括所述第一线条子区内线条的线条宽度和线条分布密度
、
所述第二线条子区内线条的线条宽度和线条分布密度
、
所述第一格点的面积和所述第二格点的面积，所述辅助图形的数量为多个，且多个所述辅助图形的图形特征的特征尺寸均不相同
。5.
如权利要求4所述的图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，所述辅助图形的数量为四个，四个所述辅助图形围成十字型结构，且四个所述辅助图形交叉处形成空白的定位区
。6.
如权利要求5所述的图形辅助的干法刻蚀装置，其特征在于，四个所述辅助图形分别为第一辅助图形
、
第二辅助图形
、
第三辅助图形和第四辅助图形；所述第一辅助图形中，所述第一线条子区和所述第二线条子区的线宽尺寸为
670nm~770nm
，所述第一线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
670nm~770nm
，所述第二线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
1340nm~1540nm
，所述第一格点区的尺寸为2μ
m
×2μ
m
，所述第二格点区的尺寸为1μ
m
×1μ
m
；所述第二辅助图形中，所述第一线条子区和所述第二线条子区的线宽尺寸为
550nm~650nm
，所述第一线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
550nm~650nm ，所述第二线条子区的任意相邻的两个所述线条之间的间距为
1100~1300nm
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王栋，白永智，何俊龙，柯汉奇，杨勤丰，
申请(专利权)人：深圳市龙图光罩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：