【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种掩模版位置精度测量方法、装置、设备、介质以及产品。
技术介绍
1、随着集成电路设计的高速发展，掩模版图形设计的尺寸日益缩小，对制版位置精度要求也逐渐加大，但是在生产过程中遇到一些特殊情况如温度异常，都会对制作的掩模版位置精度造成影响，目前通过温度控制、高端的激光干涉仪及精密移动平台能够提高位置精度、降低影响，但往往成本高昂，故在当前的掩模版工艺中，需要一种提高掩模版位置精度的方法，以实现提高制版位置的精度以及降低制造过程中异常影响。
2、上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种掩模版位置精度测量方法、装置、设备、存储介质以及计算机程序产品，旨在提高制版位置的精度以及降低制造过程中多种因素导致的异常影响。
2、为实现上述目的，本申请提出一种掩模版位置精度测量方法，所述的方法包括：
3、接收掩模版位置精度测量请求；
4、根据所述掩模版位置...
【技术保护点】
1.一种掩模版位置精度测量方法，其特征在于，所述掩模版位置精度测量方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的位置数据金版，通过所述温度监控平台以及定位测量平台建立位置数据最大后验概率MAP的步骤包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩模版位置精度测量请求，通过预先构建的位置精度测量系统对待测量掩模版进行精度测量，得到测量结果的步骤包括：
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述位置数据金版，通过所述定位测量平台进行测量，得到所述位置数据金版的二维位置坐标的步骤包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种掩模版位置精度测量方法，其特征在于，所述掩模版位置精度测量方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的位置数据金版，通过所述温度监控平台以及定位测量平台建立位置数据最大后验概率map的步骤包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩模版位置精度测量请求，通过预先构建的位置精度测量系统对待测量掩模版进行精度测量，得到测量结果的步骤包括：
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述位置数据金版，通过所述定位测量平台进行测量，得到所述位置数据金版的二维位置坐标的步骤包括：
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过所述温度监控平台对所述位置数据金版进行计算得到温度阶梯图的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄执祥，白永智，雷健，何祥，王栋，
申请(专利权)人：深圳市龙图光罩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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